瀏覽 的方式: 關鍵字 p 型氮化鎵/氮化鋁鎵/氮化鎵異質接面結構,高電子遷移率電晶體,大電流元件,寄生電容量測,drain lag 與gate lag 量測,
顯示 1 到 1 筆資料,總共 1 筆
出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2020 | 常關式氮化鎵大面積高電子遷移率電晶體之製作與分析 Fabrication and Analysis of Large Area Enhancement mode GaN High Electron Mobility Transistors | Yu-Li Ho; 何竽曆 | 光電工程學研究所 |