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NTU Theses and Dissertations Repository
瀏覽 的方式: 作者 謝柏凱
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2015
一個0.4伏特單次存取能量消耗4.76微微焦耳11.6百萬赫芝1千位元靜態隨機存取記憶體具有提出的單端存取7個電晶體記憶單元並使用寫入與讀取偵測技術
A 400mV 4.76pJ/Access 11.6MHz 1Kb SRAM with Proposed Single-ended 7T Cell Using Write and Read Detecting Schemes
Po-Kai Hsieh; 謝柏凱
電子工程學研究所