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NTU Theses and Dissertations Repository
瀏覽 的方式: 作者 林浩雄(Hao-Hsiung Lin)
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2016
利用氧化層磊晶系統製作氧化釔及釔參雜氧化鍺金氧半電容元件與分析
Analyses of Yttrium Oxide and Yttrium–doped Germanium Oxide on Germanium by Oxide MBE
Wei-Ting Shen; 沈威廷
電子工程學研究所
2016
利用氫氣電漿清理砷化銦基板再用氧化物磊晶系統成長氧化鉿之介面特性分析
Analysis of Hydrogen plasma clean before deposition of HfO2 on InAs by Oxide MBE system with deflector interface
Thein Naing; 伍存龍
電子工程學研究所
2016
利用第一原理模擬四元半導體銻磷砷化銦的能帶結構
First-Principle Calculations of Band Structures of InAsPSb
Chih-Han Hsueh; 薛植函
光電工程學研究所
2016
利用雙空缺模型分析鍺的外部擴散效應與自動摻雜對於磷化銦鎵長在鍺基板有序排列之影響
Using the di-vacancy hopping model to analyse Ge out-diffusion and its effect on ordering phase in InGaP grown on Ge substrate
Hong-Ming Wu; 吳宏明
電子工程學研究所
2021
在矽基板上使用石墨烯對光響應度的增益
Amplification of Photoresponse Si using Graphene
Shao-Xuan Huang; 黃少翾
電子工程學研究所
2015
"應用X光繞射,延伸X光吸收細微結構及光致發光量測與分析纖鋅礦結構的氮化銦材料之晶格與電子特性"
Measurement and Analysis of Structural, Electronics Properties of Wurtzite Indium Nitride using X-ray Diffraction, Extended X-ray Absorption Fine Structure and Photoluminescence
Ferry Wiryo Pranoto; 黃于桓
光電工程學研究所
2019
成長在砷化鎵基板之銻磷化鎵結構特性以及德拜-沃勒因子研究
Study on the structural properties and Debye-Waller factor of GaPxSb1-x/GaAs
Min-Han Lin; 林旻翰
電子工程學研究所
2012
成長在砷化鎵的銻磷砷化銦薄膜晶格結構研究
Study on the lattice structure of InAsPSb thin-film grown on GaAs
Kuan-Ta Chen; 陳冠達
電子工程學研究所
2013
成長在鍺基板及砷化鎵基板之有序排列磷化銦鎵光學特性研究
Studies on the Optical Properties of Ordered InGaP/Ge and InGaP/GaAs
Yu-Chi Chang; 張聿騏
電子工程學研究所
2016
氧化鋁/銻磷砷化銦金氧半電容元件特性改善與累積區頻散分析
Characteristic Improvement of Al2O3/InAsPSb Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor and Analysis of Accumulation Frequency Dispersion
Chen-Jia Yan; 顏辰嘉
電子工程學研究所
2010
氮砷銻化鎵/砷化鎵p-i-n元件特性研究
Studies on the properties of GaAsSbN/GaAs p-i-n devices
Chia-Hung Lin; 林嘉洪
電子工程學研究所
2009
熱退火對砷銻氮化鎵之光學與電學特性的影響
Effect of annealing on the optical and electrical properties of dilute nitride GaAsSbN
Wang-Shang Ping; 王尚平
電子工程學研究所
2018
短波長紅外線偵測器之砷磷化銦變晶緩衝層應力鬆弛特性
Strain Relaxation Properties of InAsyP1-y Metamorphic Buffer Layers for SWIR Photodetector
Hao-Kai Hsieh; 謝皓凱
電子工程學研究所
2012
研究以氣態源分子束磊晶技術成長之砷化銦基底的材料與元件
Study on the InAs-based materials and devices grown by a molecular beam epitaxy system
Chen-Jun Wu; 吳承潤
電子工程學研究所
2005
砷化銦/砷化銦鎵/砷化鎵量子點雷射之研究
Study on InAs/InGaAs/GaAs Quantum dot lasers
Chi-Sen Lee; 李騏亘
電子工程學研究所
2007
砷化銦/砷化鎵量子點與氧化鎵/砷化鎵薄膜之光學與材料特性研究
Optical and Material Characteristics of InAs/GaAs Quantum Dots and Ga2O3/GaAs Thin Film
Pin-Fang Huang; 黃品方
電子工程學研究所
2012
砷化銦奈米線結構與光學特性研究
Structural and Optical Properties of InAs Nanowires
Li-Hsing Chen; 陳立興
光電工程學研究所
2008
砷化鋁鎵類人眼光偵測器之設計模擬與製程
Design, Simulation and Fabrication of AlGaAs Ambient Light Detectors
Tzu-Chiang Lin; 林自強
電子工程學研究所
2019
砷化鎵/銻砷化鎵第二型量子井載子動力學與光學特性之研究
Carrier dynamics and photoluminescence study in type II GaAs/GaAs1-xSbx quantum well
Hsiao-Tzu Huang; 黃孝慈
光電工程學研究所
2019
砷磷化銦變晶緩衝層之短波長紅外線偵測器的製程與特性研究
Study on Fabrication and Characteristics of InAsyP1-y Metamorphic Buffer Layers for SWIR Photodetector
Wei Cao; 曹瑋
電子工程學研究所