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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/79264| 標題: | 利用自我封蓋固液氣化學氣相沉積法成長單層二硫化鉬 Monolayer Molybdenum Disulfide Growth by Self-Capping Vapor-Liquid-Solid Mechanism under Chemical Vapor Deposition |
| 作者: | Wei-Zai Chen 陳緯在 |
| 指導教授: | 陳俊維(Chun-Wei Chen) |
| 關鍵字: | 過渡金屬二硫屬化合物,二硫化鉬,化學氣相沉積法,自我封蓋固液氣成 長機制, Transition Metal Dichalcogenides,Molybdenum disulfide,Chemical Vapor Deposition,Self-Capping Vapor-Liquid-Solid mechanism, |
| 出版年 : | 2022 |
| 學位: | 碩士 |
| 摘要: | "擁有些許能帶差的半導體二維材料過渡金屬二硫屬化合物系列 (transition metaldichalcogenides,TMD) 為近年來相當熱門的研究主題，其中具有1.8eV直接 能帶的單層二硫化鉬具有許多特別的物理、化學性質，為一相當知名且相當具有發 展性的二維奈米材料。在二硫化鉬的製作中，化學氣相沈積法能在合理的成本下產 出高品質、大面積且層數均勻的二維二硫化鉬，是近年來最被普遍使用的一種生長 方式。在一般使用粉末作為前驅物的固氣氣成長機制 (Vapor-Solid-Solid,VSS) 中， 通常會選擇降低粉末的使用量來降低成長時的核點密度並成長出較大晶粒的二硫 化鉬，與此同時，二硫化鉬的覆蓋率也會大幅下降，而降低其實用性。我們選擇用 相當新穎的自我封蓋固液氣成長機制 (Self-Capping Vapor-Liquid-Solid, SCVLS) ， 透過共晶反應提供均勻的液態前驅物並擁有快速的成長速率，其能成長出比固氣 氣成長機制更大晶粒、更大覆蓋範圍、且層數均勻度、結晶、電子性質都更好的二 硫化鉬奈米片或薄膜。在本篇論文中，我們能透過 SCVLS 成長機製能成長出晶粒 約為 200μm 的單層二硫化鉬奈米片或是 1×1 cm2 覆蓋的單層二硫化鉬薄膜。" |
| URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/79264 |
| DOI: | 10.6342/NTU202200023 |
| 全文授權: | 同意授權(全球公開) |
| 顯示於系所單位： | 材料科學與工程學系 |
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