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完整後設資料紀錄
DC 欄位 | 值 | 語言 |
---|---|---|
dc.contributor.advisor | 汪根欉(Ken-Tsung Wong) | |
dc.contributor.author | Gang-Lun Fan | en |
dc.contributor.author | 范綱倫 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2021-06-16T03:38:42Z | - |
dc.date.available | 2017-03-16 | |
dc.date.copyright | 2015-03-16 | |
dc.date.issued | 2015 | |
dc.date.submitted | 2015-03-05 | |
dc.identifier.citation | 第一章
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dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/54796 | - |
dc.description.abstract | 本論文的研究目的,在於探討並開發可用於濕式製程的可熱交聯電荷傳輸材料,以投入有機光電領域,如螢光或磷光有機發光二極體,或有機太陽能電池…等應用。
為了開發濕式製程在有機光電應用的解決方案,我們設計並合成適合用作濕式塗佈的小分子電荷傳輸材料,再以分子間的交聯反應將它們轉換為高分子薄膜,冀望能克服多層結構之有機光電應用於濕式製程中的問題。在本論文中,我們選定苯乙烯為可熱交聯的官能基團,將其修飾在具有電荷傳輸能力的有機材料上,希望能藉其不須添加起始劑即可在高溫下自行啟動分子間熱交聯的特性,達到抗溶劑侵蝕的效果;且經由適當的分子設計,我們能夠讓交聯後的材層盡可能保存小分子前驅物的性質。 我們成功合成了包含電洞傳輸材料、高三重態能量之電洞傳輸材料,及具有電洞傳輸性質的主體材料,和電子傳輸材料…等數個系列的可熱交聯分子,它們多具有良好的材料成膜性質、熱穩定性與可達10^(-4) cm^2/Vs數量級之電洞傳輸率。 | zh_TW |
dc.description.abstract | The overall theme of this dissertation is to examine thermally cross-linkable charge transporting materials for their potential use in solution-processable organic light-emitting diodes (OLEDs) and solar cells. In order to overcome the interfacial mixing problem, the approach is the use of an organic-soluble precursor that becomes insoluble through crosslinking reaction. Low temperature-curing styrene is moe attractive for long-term application. Styryl moiety has the advantages because it is easier to be synthesized and can undergo mild thermal polymerization in the absence of an initiator. With such a concept, the design and synthesis of various functional materials including thermally crosslinkable hole injection materials (HIMs) and/or hole-transport materials (HTMs), high-triplet-energy hole-transport materials, hole-transporting–type host materials, and electron transport materials (ETMs) were systematically performed. | en |
dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-16T03:38:42Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-104-D99223123-1.pdf: 38140304 bytes, checksum: ee85a0d5f48deb275619ec930e9a24ed (MD5) Previous issue date: 2015 | en |
dc.description.tableofcontents | 目錄
摘要 i Abstract ii 目錄 iii 圖目錄 ix 表目錄 xxi 化學結構圖 xxiii 第一章 緒論 1 1.1 前言 1 1.2 平面顯示器 2 1.3 有機發光二極體 6 1.4 有機發光二極體的發展與材料 8 1.4.1 電洞注入材料 10 1.4.2 電洞傳輸材料 12 1.4.3 電子傳輸材料 14 1.5 有機發光二極體元件的製程 15 1.5.1 前言 15 1.5.2 應用濕式製程製作有機發光二極體元件的困難 17 1.5.3 小分子應用於濕式製程的優勢與因應辦法 18 1.5.3.1 不相容溶劑系統 18 1.5.3.2 小分子非共價鍵交聯處理 18 1.5.3.3 小分子共價鍵交聯處理 18 1.5.4 應用於有機光電材料的可交聯官能基團 20 1.5.4.1 以矽氧烷為交聯活性基團的可聚合分子 21 1.5.4.2 以冰片烯為交聯活性基團的可聚合分子 22 1.5.4.3 以1,3-環氧丙烷為交聯活性基團的可聚合分子 22 1.5.4.4 以三氟醚為交聯活性基團的可聚合分子 24 1.5.4.5 以苯乙烯為交聯活性基團的可聚合分子 26 1.6 研究動機 28 1.7 參考文獻 30 第二章 可熱交聯電荷注入與傳輸材料的設計、合成與應用 35 2.1 前言-以苯乙烯為活性基團的交聯聚合機制與應用 35 2.2 以芴為核心,可熱交聯電洞注入/傳輸材料的分子設計 37 2.2.1 以芴為核心,低電子游離能之電洞注入材料 37 2.2.2 以芴為核心,高電洞傳輸率之電洞傳輸材料 38 2.3 以芴為核心,可熱交聯電洞注入/傳輸材料的逆合成分析與合成 40 2.4 可熱交聯電荷注入/傳輸材料的性質量測方法與分析 47 2.4.1 可熱交聯材料的光電性質與能階分析 47 2.4.2 可熱交聯材料的熱性質分析 51 2.4.3 可熱交聯材料的電荷傳輸性質量測 52 2.4.4 可熱交聯薄膜的表面分析 53 2.5 以芴為核心,可熱交聯電洞注入/傳輸材料的基本性質 54 2.5.1 光物理性質討論 55 2.5.2 電化學性質討論與固態能階 60 2.5.3 熱性質討論 65 2.5.4 電荷傳輸性質 69 2.5.5 成膜性質與粗糙度量測 71 2.6 元件特性 84 2.6.1 應用於有機發光二極體元件 84 2.6.1.1 綠光螢光元件 85 2.6.1.2 綠光磷光元件 89 2.6.2 應用於太陽能電池 95 2.6.2.1 濕式製程鈣鈦礦太陽能電池 100 2.6.2.2 蒸鍍製程鈣鈦礦太陽能電池 103 2.7 結論 106 2.8 材料的合成與鑑定 107 2.9 參考文獻 117 第三章 高三重態能量之可熱交聯電洞傳輸材料的設計、合成與應用 119 3.1 前言 119 3.2 以芴為核心,高三重態能量之可熱交聯電洞傳輸材料的分子設計 121 3.3 以芴為核心,高三重態能量之可熱交聯電洞傳輸材料的逆合成分析與合成 123 3.4 以芴為核心,高三重態能量之可熱交聯電洞傳輸材料的基本性質 125 3.4.1 光物理性質討論 125 3.4.2 電化學性質討論與固態能階 127 3.4.3 熱性質討論 129 3.4.4 電荷傳輸性質 130 3.4.5 成膜性質測試 131 3.5 以咔唑為核心,高三重態能量之可熱交聯電洞傳輸材料的分子設計 133 3.6 以咔唑為核心,高三重態能量之可熱交聯電洞傳輸材料的逆合成分析與合成 133 3.7 以咔唑為核心,高三重態能量之可熱交聯電洞傳輸材料的基本性質 137 3.7.1 光物理性質討論 137 3.7.2 電化學性質討論與固態能階 138 3.7.3 熱性質討論 139 3.7.4 電荷傳輸性質 141 3.7.5 成膜性質與粗糙度量測 142 3.8 元件特性 147 3.9 結論 149 3.10 材料的合成與鑑定 150 3.11 參考文獻 155 第四章 含咔唑之可熱交聯電洞傳輸與主體材料的設計、合成與應用 157 4.1 前言 157 4.2 含咔唑之可熱交聯電洞傳輸與主體材料的分子設計 158 4.3 含咔唑之可熱交聯電洞傳輸與主體材料的逆合成分析與合成 158 4.4 含咔唑之可熱交聯電洞傳輸與主體材料的的基本性質 165 4.4.1 光物理性質討論 166 4.4.2 電化學性質討論與固態能階 169 4.4.3 熱性質討論 173 4.4.4 電荷傳輸性質 176 4.4.5 成膜性質與粗糙度量測 177 4.5 元件特性 180 4.6 結論 181 4.7 材料的合成與鑑定 182 4.8 參考文獻 186 第5章 可熱交聯之電子傳輸材料的設計、合成與應用 187 5.1 前言 187 5.2 以TPBI為核心,可熱交聯之電子傳輸材料的分子設計 189 5.3 以TPBI為核心,可熱交聯之電子傳輸材料的逆合成分析與合成 190 5.4 以TTA為核心,可熱交聯電子傳輸材料的分子設計 193 5.5 以TTA為核心,可熱交聯電子傳輸材料的逆合成分析與合成 194 5.6 可熱交聯之電子傳輸材料的基本性質 196 5.6.1 光物理性質討論 197 5.6.2 電化學性質討論與固態能階 199 5.6.3 熱性質討論 202 5.6.4 電荷傳輸性質 203 5.6.5 成膜性質與粗糙度量測 204 5.7 元件特性 209 5.8 結論 210 5.9 材料的合成與鑑定 211 5.10 參考文獻 213 第6章 總結 215 第7章 實驗部分 217 7.1 儀器分析 217 7.1.1 核磁共振光譜 217 7.1.2 光物理量測 217 7.1.3 電化學量測 218 7.1.4 熱分析 218 7.1.5 表面粗糙度與薄膜厚度量測 218 7.1.6 固態能階量測 219 7.1.7 電荷傳輸率量測 219 7.1.8 質譜分析 219 7.1.9 有機發光元件的量測 219 7.2 實驗步驟 220 7.2.1 有機發光二極體元件製作 220 7.2.1.1 基板清洗 220 7.2.1.2 有機薄膜製程 220 7.2.2 有機化學合成 221 附錄一 223 附錄二 243 圖目錄 圖 1-1 陰極射線管顯示器 1 圖 1-2 顯示技術分類概圖 2 圖 1-3 液晶顯示器的組成部件示意圖 3 圖 1-4 電漿顯示器的組成部件示意圖 4 圖 1-5 顯示器技術的演進 5 圖 1-6 高分子有機發光二極體與小分子有機發光二極體結構示意圖 6 圖 1-7 有機發光二極體顯示器的應用範例:車燈、面光源與曲面顯示器 7 圖 1-8 常見有機電洞注入材料的分子結構 10 圖 1-9 聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸的結構 11 圖 1-10 三芳香胺類化合物電洞傳遞示意圖 12 圖 1-11 TAPC與TPD的分子結構 13 圖 1-12 不同構型的電洞傳輸材料示意圖 13 圖 1-13 常用電子傳輸材料的分子結構 14 圖 1-14 真空蒸鍍系統 15 圖 1-15 旋甩塗佈法示意圖 16 圖 1-16 蒸鍍用的小分子材料不一定適用於濕式製程 17 圖 1-17 小分子聚合/交聯策略示意圖 19 圖 1-18 可交聯活性基團的化學結構 20 圖 1-19 矽氧烷的交聯反應示意圖 21 圖 1-20 使用含矽氧烷基團材料的元件結構 21 圖 1-21 冰片烯基團的交聯反應示意圖 22 圖 1-22 1,3-環氧丙烷的交聯反應示意圖 23 圖 1-23 (a)含有1,3-環氧丙烷基團材料的化學結構;(b)使用含1,3-環氧丙烷基團材料製作的全彩有機電致發光元件 23 圖 1-24 聚3,4-乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯磺酸起始交聯聚合法(PIX)示意圖 24 圖 1-25 含三氟醚基團之電洞注入層材料交聯示意圖與聚合膜面型態 25 圖 1-26 含有三氟醚基團之有機電致發光元件材料的化學結構 25 圖 1-27 含苯乙烯基團之電洞注入層材料的應用示意圖 26 圖 1-28 含苯乙烯基團之有機電致發光元件材料與元件濕式製程示意圖 27 圖 1-29 使用含苯乙烯基團材料製作的有機電致發光元件 27 圖 1-30各可交聯官能基團應用上的優點與缺點 28 圖 2-1 苯乙烯的交聯聚合機制 35 圖 2-2 VB-FNPD熱交聯前後之吸收及放光頻譜分析 35 圖 2-3 VB-model與VB-FNPD的分子結構 36 圖 2-4 VB-model與VB-FNPD聚合高分子的電洞傳輸量測 36 圖 2-5 (a)TP-TPD與MeO-TPD及(b)VB-DTAF與VB-DAAF的分子結構 37 圖 2-6 α-NPD的分子結構 38 圖 2-7 VB4-FNPD的分子結構 39 圖 2-8 VB-bPTAF與VB-bPBFAF的分子結構 39 圖 2-9 VB-tPATAF與VB-tPTAF的分子結構 40 圖 2-10 VB-FNPD的合成方法 40 圖 2-11 以芴為核心雙苯乙烯交聯單元分子的逆合成分析(一) 41 圖 2-12 以芴為核心雙苯乙烯交聯單元分子的逆合成分析(二) 41 圖 2-13 以芴為核心,可熱交聯分子的合成 42 圖 2-14 VB4-FNPD的逆合成分析(一) 43 圖 2-15 VB4-FNPD的逆合成分析(二) 44 圖 2-16 用於VB4-FNPD之二級芳香胺片段的逆合成分析 44 圖 2-17 2,7-二溴-9,9-二對苯甲醚基芴(2f)的合成 45 圖 2-18 用於VB4-FNPD之二級芳香胺片段(2e)的合成 45 圖 2-19 FNPD-(OMe)4的合成 45 圖 2-20 VB4-FNPD的合成 46 圖 2-21 PESA技術示意圖 49 圖 2-22 PESA與IPES分析技術原理示意圖 50 圖 2-23 飛行時間法量測電荷傳輸率的運作示意圖 52 圖 2-24 原子力顯微鏡的運作示意圖 53 圖 2-25 衍生自電洞傳輸材料VB-FNPD的可熱交聯分子 54 圖 2-26 α-NPD與VB-model的分子結構 55 圖 2-27 α-NPD與VB-model的光學吸收與螢光放射頻譜 55 圖 2-28 VB-FNPD、VB-DTAF與VB-DAAF的光學吸收與螢光放射頻譜 56 圖 2-29 VB-FNPD與VB4-FNPD的光學吸收與螢光放射頻譜 57 圖 2-30 VB-bPTAF與VB-tPTAF的光學吸收與螢光放射頻譜 58 圖 2-31 VB-bPTAF、VB-tPATAF與VB-bPBFAF的光學吸收與螢光放射頻譜 59 圖 2-32 VB-FNPD、VB-DTAF與VB-DAAF的電化學分析頻譜 61 圖 2-33 VB-FNPD與VB4-FNPD的電化學分析頻譜 62 圖 2-34 VB-bPTAF與VB-tPTAF的電化學分析頻譜 62 圖 2-35 VB-bPTAF、VB-tPATAF及VB-bPBFAF的電化學分析頻譜 63 圖 2-36 VB-FNPD、VB-DTAF與VB-DAAF的差式掃描熱卡計圖譜 65 圖 2-37 VB-FNPD與VB4-FNPD的差式掃描熱卡計圖譜 66 圖 2-38 VB-bPTAF與VB-tPTAF的差式掃描熱卡計圖譜 67 圖 2-39 VB-tPATAF與VB-bPBFAF的差式掃描熱卡計圖譜 67 圖 2-40 VB-FNPD、VB-DTAF與VB-DAAF以飛行時間法量測的電洞傳輸率 69 圖 2-41 以芴為核心,可熱交聯電洞傳輸材料的電洞傳輸率 70 圖 2-42 VB-FNPD單體薄膜的光學顯微鏡影像 72 圖 2-43 VB-FNPD單體薄膜的表面量測 72 圖 2-44 VB-FNPD單體薄膜的表面量測 72 圖 2-45 VB-FNPD交聯薄膜的光學顯微鏡影像 73 圖 2-46 VB-FNPD交聯薄膜的表面量測 73 圖 2-47 VB-FNPD交聯薄膜的表面量測 73 圖 2-48 VB-DTAF單體薄膜的光學顯微鏡影像 74 圖 2-49 VB-DTAF單體薄膜的表面量測 74 圖 2-50 VB-DTAF單體薄膜的表面量測 74 圖 2-51 VB-DTAF交聯薄膜的光學顯微鏡影像 75 圖 2-52 VB-DTAF交聯薄膜的表面量測 75 圖 2-53 VB-DTAF交聯薄膜的表面量測 75 圖 2-54 VB-DAAF單體薄膜的光學顯微鏡影像 76 圖 2-55 VB-DAAF單體薄膜的表面量測 76 圖 2-56 VB-DAAF單體薄膜的表面量測 76 圖 2-57 VB-DAAF交聯薄膜的光學顯微鏡影像 77 圖 2-58 VB-DAAF交聯薄膜的表面量測 77 圖 2-59 VB-DAAF交聯薄膜的表面量測 77 圖 2-60 VB4-FNPD單體薄膜的光學顯微鏡影像 78 圖 2-61 VB4-FNPD單體薄膜的表面量測 78 圖 2-62 VB4-FNPD單體薄膜的表面量測 78 圖 2-63 VB4-FNPD交聯薄膜的光學顯微鏡影像 79 圖 2-64 VB4-FNPD交聯薄膜的表面量測 79 圖 2-65 VB4-FNPD交聯薄膜的表面量測 79 圖 2-66 VB-bPTAF單體薄膜的光學顯微鏡影像 80 圖 2-67 VB-bPTAF單體薄膜的表面量測 80 圖 2-68 VB-bPTAF單體薄膜的表面量測 80 圖 2-69 VB-bPTAF交聯薄膜的光學顯微鏡影像 81 圖 2-70 VB-bPTAF交聯薄膜的表面量測 81 圖 2-71 VB-bPTAF交聯薄膜的表面量測 81 圖 2-72 VB-tPATAF單體薄膜的光學顯微鏡影像 82 圖 2-73 VB-tPATAF單體薄膜的表面量測 82 圖 2-74 VB-tPATAF單體薄膜的表面量測 82 圖 2-75 VB-tPATAF交聯薄膜的光學顯微鏡影像 83 圖 2-76 VB-tPATAF交聯薄膜的表面量測 83 圖 2-77 VB-tPATAF交聯薄膜的表面量測 83 圖 2-78 用於電洞注入與傳輸層的可熱交聯材料 84 圖 2-79 綠色螢光元件結構示意圖 85 圖 2-80 綠色螢光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 86 圖 2-81 綠色螢光元件中電洞注入層的電洞傳輸率 86 圖 2-82 綠色磷光元件結構示意圖 89 圖 2-83 TCTA、(ppy)2Ir(acac)與TPBI的分子結構 90 圖 2-84 綠色磷光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 90 圖 2-85 TPBI薄膜之電子傳輸率 92 圖 2-86 使用VB-tPATAF之綠光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 92 圖 2-87 使用VB-DAAF之綠光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 93 圖 2-88 使用VB4-FNPD之綠光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 93 圖 2-89 使用VB-DTAF之綠光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 94 圖 2-90 使用VB-bPTAF之綠光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 94 圖 2-91 spiro-OMeTAD的分子結構 96 圖 2-92 各類太陽能電池的發展與演進 97 圖 2-93 鈣鈦礦晶體的結構示意圖 98 圖 2-94 應用VB-DAAF為電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性量測(a)2k rpm;(b)4k rpm;(c)6k rpm 102 圖 2-95 更動PEDOT:PSS製程參數之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性量測(a)不使用;(b)4k rpm;(c)6k rpm 103 圖 2-96 蒸鍍製程鈣鈦礦太陽能電池之結構示意圖 104 圖 2-97 應用VB-FNPD為電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性量測 104 圖 2-98 應用VB-tPATAF為電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性量測 105 圖 3-1 FTPD系列分子的分子結構與性質 119 圖 3-2 (a)咔唑與(b)9-苯基咔唑的分子結構 120 圖 3-3 (a)4a、4b與(b)CzTP分子結構 120 圖 3-4 DVTP之分子結構與其差式掃描熱卡計分析圖譜 122 圖 3-5 VB-APTF與VB-DAPF的分子結構 122 圖 3-6 VB-DAPF與VB-APTF的逆合成分析 123 圖 3-7 APTF-OMe與DAPF-OMe的合成 124 圖 3-8 APTF-OH與DAPF-OH的合成 124 圖 3-9 VB-APTF與VB-DAPF的合成 125 圖 3-10 VB-APTF與VB-DAPF的光學吸收與光致放光頻譜 126 圖 3-11 VB-APTF與VB-DAPF的電化學分析頻譜 127 圖 3-12 VB-DAPF的PESA分析頻譜 128 圖 3-13 VB-APTF的差式掃描熱卡計圖譜 129 圖 3-14 VB-DAPF的差式掃描熱卡計圖譜 130 圖 3-15 VB-DAPF以飛行時間法量測之(a)暫態光激發載子訊號與(b)電洞傳輸率對電場平方根的關係圖 131 圖 3-16 (a)以氯苯為溶劑製備的VB-DAPF單體薄膜;以(b)氯苯;(c)對二甲苯;(d)均三甲苯為溶劑製備的VB-DAPF聚合薄膜 132 圖 3-17 VB-PCz系列可熱交聯電洞傳輸材料的分子結構 133 圖 3-18 VB-PCz-I的逆合成分析 134 圖 3-19 VB-PCz-II的逆合成分析 134 圖 3-20 用於VB-PCz系列分子之含苯乙烯交聯基團芳香環片段3c的合成 135 圖 3-21 用於VB-PCz系列分子之二級芳香胺片段3d的合成 135 圖 3-22 VB-PCz-I的合成 135 圖 3-23 VB-PCz-II的合成 136 圖 3-24 VB-PCz系列分子的光學吸收與螢光放光頻譜 138 圖 3-25 VB-PCz系列分子的電化學分析頻譜 139 圖 3-26 VB-PCz系列分子的PESA分析頻譜 139 圖 3-27 VB-PCz-I的差式掃描熱卡計圖譜 140 圖 3-28 VB-PCz-II的差式掃描熱卡計圖譜 140 圖 3-29 VB-PCz-II以飛行時間法量測的電洞傳輸率 141 圖 3-30 VB-PCz-I單體薄膜的表面量測 142 圖 3-31 VB-PCz-I聚合薄膜的表面量測 142 圖 3-32 VB-PCz-I聚合薄膜沖洗後的表面量測 143 圖 3-33 VB-PCz-I單體薄膜的表面量測 143 圖 3-34 VB-PCz-I聚合薄膜的表面量測 144 圖 3-35 VB-PCz-I單體薄膜的表面量測 144 圖 3-36 VB-PCz-I聚合薄膜的表面量測 145 圖 3-37 VB-PCz-II聚合薄膜的表面量測 145 圖 3-38 使用VB-PCz-I之綠色磷光元件結構示意圖 147 圖 3-39 使用VB-PCz-I之綠色磷光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 148 圖 3-40 使用VB-PCz-II之藍色磷光元件結構示意圖 148 圖 3-41 使用VB-PCz-II之綠色藍光元件的(a)電流-電壓-亮度與(b)效率曲線圖 149 圖 4-1 TCTA、TCB與CBP的分子結構 157 圖 4-2 TCTA、TCB與CBP等分子的逆合成分析 158 圖 4-3 VB-TCTA、VB-TCB與VB-CBP等分子結構 159 圖 4-4 2-甲氧基咔唑的分子結構 160 圖 4-5 VB-TCTA的逆合成分析 160 圖 4-6 VB-TCB的逆合成分析 161 圖 4-7 VB-CBP的逆合成分析 161 圖 4-8 2-甲氧基咔唑的合成 162 圖 4-9 T(2-OMe)CTA的合成 162 圖 4-10 VB-TCTA的合成 163 圖 4-11 VB-TCB的合成 164 圖 4-12 VB-CBP的合成 165 圖 4-13 VB-TCTA的光學吸收與螢光放光頻譜 166 圖 4-14 VB-TCB的光學吸收與螢光放光頻譜 167 圖 4-15 VB-CBP的光學吸收與螢光放光頻譜 168 圖 4-16 VB-TCTA的電化學分析頻譜 169 圖 4-17 VB-TCB的電化學分析頻譜 170 圖 4-18 VB-CBP的電化學分析頻譜 170 圖 4-19 VB-TCTA的PESA分析頻譜 171 圖 4-20 VB-TCB的PESA分析頻譜 172 圖 4-21 VB-CBP的PESA分析頻譜 172 圖 4-22 VB-TCTA的差式掃描熱卡計圖譜 173 圖 4-23 VB-TCB的差式掃描熱卡計圖譜 174 圖 4-24 VB-CBP的差式掃描熱卡計圖譜 175 圖 4-25 VB-TCTA以飛行時間法量測的電洞傳輸率 176 圖 4-26 VB-TCB以飛行時間法量測的電洞傳輸率 176 圖 4-27 (a)以氯苯為溶劑製備的VB-TCTA單體薄膜與(b)聚合薄膜的光學顯微鏡影像 177 圖 4-28 (a)VB-TCTA單體薄膜與(b)聚合薄膜的表面量測 177 圖 4-29 (a)以氯苯為溶劑製備的VB-TCB單體薄膜與(b)聚合薄膜的光學顯微鏡影像 178 圖 4-30 (a)VB-TCB單體薄膜與(b)聚合薄膜的表面量測 178 圖 4-31 (a)以氯苯為溶劑製備的VB-CBP單體薄膜與(b)聚合薄膜;(c)以環己酮為溶劑製備之VB-CBP單體薄膜的光學顯微鏡影像 179 圖 4-32 以VB-TCTA為電洞傳輸層之元件的效率 180 圖 5-1 有機發光二極體元件的(a)正結構與(b)反置式結構 187 圖 5-2 TPBI與TTA的分子結構 188 圖 5-3 (a)Alq3、TPBI與(b)VB-TPBI的分子結構 189 圖 5-4 VB-TPBI的逆合成分析 190 圖 5-5 5a與5b的合成 191 圖 5-6 TPBI-OMe的合成 191 圖 5-7 TPBI-OH的合成 192 圖 5-8 VB-TPBI的合成 192 圖 5-9 TTA與VB-TTA的分子結構 193 圖 5-10 VB-TTA的逆合成分析 194 圖 5-11 TTA-OMe與TTA-OH的合成 195 圖 5-12 VB-TTA的合成 195 圖 5-13 VB-TPBI與VB-TTA的分子結構 196 圖 5-14 VB-TBPI的光學吸收與螢光放光頻譜 197 圖 5-15 VB-TTA的光學吸收與螢光放光頻譜 198 圖 5-16 VB-TBPI的電化學分析頻譜 199 圖 5-17 VB-TTA的電化學分析頻譜 200 圖 5-18 VB-TBPI的PESA與IPES分析頻譜 200 圖 5-19 VB-TTA的PESA與IPES分析頻譜 201 圖 5-20 (a)VB-TPBI與(b)VB-TTA的差式掃描熱卡計圖譜 202 圖 5-21 VB-TPBI以飛行時間法量測之暫態光激發載子訊號圖譜 203 圖 5-22 VB-TTA以飛行時間法量測之暫態光激發載子訊號圖譜與電子傳輸率 204 圖 5-23 VB-TPBI單體薄膜的光學顯微鏡影像 205 圖 5-24 VB-TPBI單體薄膜的原子力顯微鏡影像 205 圖 5-25 VB-TPBI單體薄膜的原子力顯微鏡影像 205 圖 5-26 VB-TPBI交聯薄膜的光學顯微鏡影像 206 圖 5-27 VB-TPBI交聯薄膜的原子力顯微鏡影像 206 圖 5-28 VB-TPBI交聯薄膜的原子力顯微鏡影像 206 圖 5-29 VB-TTA單體薄膜的光學顯微鏡影像 207 圖 5-30 VB-TTA單體薄膜的原子力顯微鏡影像 207 圖 5-31 VB-TTA單體薄膜的原子力顯微鏡影像 207 圖 5-32 VB-TTA交聯薄膜的光學顯微鏡影像 208 圖 5-33 VB-TTA交聯薄膜的原子力顯微鏡影像 208 圖 5-34 VB-TTA交聯薄膜的原子力顯微鏡影像 208 圖 5-35 應用可熱交聯電子傳輸材料之全濕式製程反置式元件的架構 209 圖 5-36 應用可熱交聯電子傳輸材料之元件的電流-電壓-亮度曲線量測圖譜 210 表目錄 表 2-1 VB-FNPD衍生之可熱交聯分子的光物理分析數據 60 表 2-2 VB-FNPD衍生之可熱交聯分子的分子能階 64 表 2-3 VB-FNPD衍生之可熱交聯分子的熱分析數據 68 表 2-4 可熱交聯電洞傳輸材料的成膜條件 71 表 2-5 綠色螢光元件特性 88 表 2-6 綠色磷光元件特性 91 表 2-7 應用不同電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性 100 表 2-8 應用不同可熱交聯電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性 101 表 2-9 應用VB-DAAF為電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性 102 表 2-10 更動PEDOT:PSS製程參數之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性 103 表 2-11 應用VB-FNPD為電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性 105 表 2-12 應用VB-tPATAF為電洞傳輸層之鈣鈦礦太陽能電池的元件特性 105 表 3-1 VB-APTF與VB-DAPF的光物理分析數據 126 表 3-2 VB-APTF與VB-DAPF的分子能階 127 表 3-3 VB-APTF與VB-DAPF的固態分子能階 128 表 3-4 VB-APTF與VB-DAPF的熱分析數據 130 表 3-5 VB-PCz-I與VB-PCz-II的光物理分析數據 138 表 3-6 VB-PCz-I與VB-PCz-II的熱分析數據 141 表 3-7 VB-PCz-I與VB-PCz-II的成膜條件 146 表 4-1 VB-TCTA、VB-TCB及VB-CBP的光物理分析數據 168 表 4-2 VB-TCTA、VB-TCB及VB-CBP的分子能階 173 表 4-3 VB-TCTA、VB-TCB及VB-CBP的熱分析數據 175 表 4-4 VB-TCTA與VB-TCB的成膜條件 180 表 5-1 VB-TPBI與VB-TTA的光物理分析數據 198 表 5-2 VB-TBPI與VB-TTA的液態與固態能階 201 表 5-3 可熱交聯電子傳輸材料的成膜條件 204 | |
dc.language.iso | zh-TW | |
dc.title | 熱交聯電荷傳輸材料的設計、合成與應用 | zh_TW |
dc.title | Design, Synthesis, and Exploitation of Thermally
Cross-Linkable Charge Transporting Materials | en |
dc.type | Thesis | |
dc.date.schoolyear | 103-2 | |
dc.description.degree | 博士 | |
dc.contributor.oralexamcommittee | 洪文誼(Wen-Yi Hung),郭宗枋(Tzung-Fang Guo),林皓武(Hao-Wu Lin),趙登志(Teng-Chih Chao) | |
dc.subject.keyword | 有機發光二極體,濕式製程,熱交聯,電洞傳輸材料, | zh_TW |
dc.subject.keyword | organic light-emitting diodes (OLEDs),solution-process,thermally cross-linkable,hole-transport materials, | en |
dc.relation.page | 252 | |
dc.rights.note | 有償授權 | |
dc.date.accepted | 2015-03-05 | |
dc.contributor.author-college | 理學院 | zh_TW |
dc.contributor.author-dept | 化學研究所 | zh_TW |
顯示於系所單位: | 化學系 |
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