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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/51703
標題: | 高溫超導體銪鋇銅氧的傳輸特性與相圖研究 Transport properties and phase diagram of high-Tc superconducting EuBa2Cu3Oy |
作者: | Ying-Ting Chan 詹英廷 |
指導教授: | 梁啟德(Chi-Te Liang) |
關鍵字: | 高溫超導體,參雜濃度,活化能,霍爾角,隱費米液體理論,?能隙,相圖, high-Tc superconductor,doping level,activation energy,Hall angle,hidden Fermi liquid theory,pseudogap,phase diagram, |
出版年 : | 2015 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 在此論文中,我們探討高溫超導體銪鋇銅氧薄膜在不同參雜濃度下的電性傳輸特性以及銅氧化物的相圖。本實驗主要測量在不同外加磁場下銪鋇銅氧在混合態與正常態的橫向和縱向電阻率。我們嘗試利用霍爾係數來估計電洞在銅氧平面的參雜濃度p值。由於p值的決定,很多物理量和p值之間的關係將可以被討論。在混合態中,我們觀察到在磁場下縱向電阻率在進入超導態前的過渡有變寬的現象,這個現象展現出熱活化磁通流(thermally activated flux flow)行為。在大部分的樣品中,我們觀察到活化能和磁場會遵守冪次法則U~H–α,α的值大約是0.48 ~ 0.67。但是在參雜量少的樣品中,活化能和磁場表現的是對數場的相依性。我們也發現活化能和參雜濃度p值也表現冪次法則U~p–γ,並且γ的值大約是2.82 ± 0.29。磁通釘扎也在臨界溫度最高的兩個樣品中造成在橫向電阻率中有符號反轉(sign reversal)的現象。在正常態中,Anderson 的理論所解釋霍爾角的關係 〖cotθ〗_H=ΛT^2+C 在銪鋇銅氧薄膜中也被遵守。
在此研究中,銅氧化物的相圖有關非正常金屬的區域和贋能隙相也被關注。隱費米液體理論描述了在非正常金屬區域中最佳參雜到過參雜的電阻率行為,此研究表示在欠參雜區域中的樣品和此理論是不符合的。在贋能隙的部分,我們利用縱向電阻率偏離線性的行為來決定出贋能隙溫度,可觀察到贋能隙溫度會隨著參雜濃度的降低而增加。因為贋能隙相邊界的決定,銪鋇銅氧的相圖將可以被得到。 In this thesis, we study the electrical transport properties of the high-Tc superconductor EuBa2Cu3Oy (EBCO) thin films with different doping levels and the phase diagram of cuprate. The in-plane longitudinal and transverse resistivities of EBCO in the mixed state and the normal state were measured in different fixed applied magnetic fields. We try to use the Hall coefficients RH to estimate the electron hole concentration p, which is defined as the number of holes per copper atom in the CuO2 planes. Due to the determination of hole concentration p, the dependences of some physical quantities in our analysis can be discussed. In the mixed state, the resistive transition broadening under magnetic fields was observed, and it shows a thermally activated flux flow behavior. The power law magnetic field dependence of activation energy U~H–α was obtained in most samples, and the values of α are 0.48~0.67. However, the activation energy shows the logarithmic field dependence for the slightly doped EBCO samples. We also discovered that the relation between U and p exhibits the power-law behavior U~p–γ, where γ is 2.82 ± 0.29. Flux pinning also causes the sign reversal of transverse (Hall) resistivity |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/51703 |
全文授權: | 有償授權 |
顯示於系所單位: | 物理學系 |
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