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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/35853
標題: | 歐姆接觸和特徵接觸阻抗在p型氮化鎵上的研究 The research of ohmic contact and specific contact resistance on p-GaN |
作者: | Ming-Lei Chen 陳明磊 |
指導教授: | 吳志毅 |
關鍵字: | 氮化鎵,氧化鋅摻雜鎵,傳輸線模型法,特徵接觸阻抗,穿透率, GaN,ZnO:Ga,Transmission line method,specific contact resistance,transmission, |
出版年 : | 2005 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 摘 要
在本論文中,我們將比較使用傳統的鎳/金(Ni/Au)和氧化鋅摻雜 鎵(ZnO:Ga)以及Ni/Au/ZnO:Ga作為p型氮化鎵( p-GaN)的陽極接觸端 之特徵接觸阻抗和穿透率的大小,利用所觀測之電流-電壓( I-V ) 的特性曲線來判別所鍍之陽極材料與p-GaN間為歐姆接觸或蕭基接 觸,並利用傳輸線模型法(TLM)來求得特徵接觸阻抗。 發現Ni/Au和Ni/Au/ZnO:Ga之薄層能與p-GaN形成完美的歐姆接 觸,而Ni/Au薄層的厚度為200Å/200Å時,其特徵接觸阻抗在氮氣環境中經過600℃退火5分鐘後可以達到約2×10-3Ω㎝2,而Ni/Au/ZnO:Ga厚度為50Å/50Å/1000Å時,其特徵接觸阻抗在氮氣環境中經過600℃退火5分鐘後可以達到約1.7×10-2Ω㎝2,雖然比起Ni/Au薄層差了將近一個數量級,不過對於波長470nm的光之穿透率,Ni/Au/ZnO:Ga薄層卻高了15%左右,而ZnO:Ga薄膜厚度約1500Å時,與p-GaN間並不能形成完美的歐姆接觸,發現經過800℃退火1分30秒後可以達到最接近歐姆接觸,其特徵接觸阻抗約6×10-2Ω㎝2,比起Ni/Au和Ni/Au/ZnO:Ga之薄層都還要高,然而其對於波長470nm的光之穿透率卻高達約93%,比之前面二者都高出許多。 |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/35853 |
全文授權: | 有償授權 |
顯示於系所單位: | 光電工程學研究所 |
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