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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2016 | 高介電係數二氧化鋯/氮化鈦金屬閘極堆疊之研究 Study of ZrO2/TiN High-K/Metal Gate Stacks | Yi-Ping Lin; 林益平 | 材料科學與工程學研究所 |
2015 | 使用原子層沉積技術成長氮化鋁與氮化鎵薄膜之研究 Study of the AlN and GaN Thin Films Grown by Atomic Layer Deposition | Yung-Chuan Chuang; 莊詠荃 | 材料科學與工程學研究所 |
2012 | 利用原子層沉積技術成長二氧化鈦及氧化鋁複合氧化層-應用於金氧半電容元件之研究 Study of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Titanium Aluminum Oxide Gate Dielectrics Grown by Atomic Layer Deposition | Keng-Han Lin; 林耕漢 | 材料科學與工程學研究所 |
2017 | 使用電漿增強型原子層沉積技術成長高介電係數氧化層電容元件及負電容之研究 High-K Dielectrics and Ferroelectric Negative Capacitance Prepared by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition | I-Na Tsai; 蔡依娜 | 材料科學與工程學研究所 |
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系所
學位
- 4 碩士
關鍵字
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- 2 原子層沉積技術,二氧化鋯
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