搜尋
新增篩選器:
使用篩選器讓結果更精確。
第 1 到 1 筆結果,共 1 筆。
- 上一個
- 1
- 下一個
符合的文件:
出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2012 | 利用原子層沉積技術成長二氧化鈦及氧化鋁複合氧化層-應用於金氧半電容元件之研究 Study of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Titanium Aluminum Oxide Gate Dielectrics Grown by Atomic Layer Deposition | Keng-Han Lin; 林耕漢 | 材料科學與工程學研究所 |
探索
系所
學位
- 1 碩士
指導教授
關鍵字
- 1 atomic layer deposition (ald),tit...
- 1 atomic layer deposition (ald),tit...
- 1 atomic layer deposition (ald),tit...
- 1 原子層沉積技術
- 1 原子層沉積技術,二氧化鈦
- 1 原子層沉積技術,二氧化鈦,氧化鋁
- 1 原子層沉積技術,二氧化鈦,氧化鋁,二氧化鈦及氧化鋁複合氧化層
- 1 原子層沉積技術,二氧化鈦,氧化鋁,二氧化鈦及氧化鋁複合氧化層,金屬...
- 1 原子層沉積技術,二氧化鈦,氧化鋁,二氧化鈦及氧化鋁複合氧化層,金屬...
- 1 原子層沉積技術,二氧化鈦,氧化鋁,二氧化鈦及氧化鋁複合氧化層,金屬...
- 下一頁 >
出版年
- 1 2012
全文授權
- 1 未授權
全文
- 1 true