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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2014 | 以原子層沉積技術成長氮化二氧化鉿閘極介電層之金氧半電容元件之研究 Study of Metal-Oxide-Semiconductor Capacitors with Nitrided Hafnium Oxide Gate Dielectrics Grown by Atomic Layer Deposition | Tung-Yi Kao; 高同儀 | 材料科學與工程學研究所 |
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- 1 碩士
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- 1 原子層沉積技術,遠程電漿輔助原子層沉積技術
- 1 原子層沉積技術,遠程電漿輔助原子層沉積技術,二氧化鉿
- 1 原子層沉積技術,遠程電漿輔助原子層沉積技術,二氧化鉿,氧化鋯鉿
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出版年
- 1 2014
全文授權
- 1 有償授權
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