搜尋
新增篩選器:
使用篩選器讓結果更精確。
第 1 到 2 筆結果,共 2 筆。
- 上一個
- 1
- 下一個
符合的文件:
出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2016 | 高介電係數二氧化鋯/氮化鈦金屬閘極堆疊之研究 Study of ZrO2/TiN High-K/Metal Gate Stacks | Yi-Ping Lin; 林益平 | 材料科學與工程學研究所 |
2017 | 使用電漿增強型原子層沉積技術成長高介電係數氧化層電容元件及負電容之研究 High-K Dielectrics and Ferroelectric Negative Capacitance Prepared by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition | I-Na Tsai; 蔡依娜 | 材料科學與工程學研究所 |
探索
系所
學位
- 2 碩士
關鍵字
- 2 atomic layer deposition (ald)
- 2 原子層沉積技術,二氧化鋯
- 1 atomic layer deposition (ald),zir...
- 1 atomic layer deposition (ald),zir...
- 1 atomic layer deposition (ald),zir...
- 1 atomic layer deposition (ald),zir...
- 1 atomic layer deposition (ald),zir...
- 1 atomic layer deposition (ald),zir...
- 1 atomic layer deposition (ald),zir...
- 1 原子層沉積技術,二氧化鋯,二氧化鉿
- 下一頁 >
全文授權
- 2 有償授權
全文
- 2 true