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材料科學與工程學系
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2015
以第一原理計算探討二氧化矽基材內的缺陷與摻雜以及高介電常數二氧化鉿絕緣層對二硫化鉬電子性質與其載子遷移率變化之影響
First-Principles Study of the Doping Effect on MoS2 from the Impurities and Intrinsic Point Defects in the underlying SiO2 Substrate and the Origin of the Enhanced Carrier Mobility by the Top High-k HfO2 Layers
An Ho; 何安
材料科學與工程學研究所
探索
系所
1
材料科學與工程學研究所
指導教授
1
郭錦龍(chin-lung kuo)
作者
1
何安
關鍵字
1
mos2
1
mos2,first-principles calculation
1
mos2,first-principles calculation...
1
mos2,first-principles calculation...
1
mos2,first-principles calculation...
1
二硫化鉬
1
二硫化鉬,第一原理計算
1
二硫化鉬,第一原理計算,二氧化矽
1
二硫化鉬,第一原理計算,二氧化矽,二氧化鉿
1
二硫化鉬,第一原理計算,二氧化矽,二氧化鉿,蕭特基能障
.
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出版年
1
2015
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1
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