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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/33396
標題: | 矽鍺/鍺異質結構之載子傳輸特性研究 Magneto-transport of SiGe/Ge Heterostructures |
作者: | Zong-Ying Tsai 蔡宗穎 |
指導教授: | 鄭鴻祥 |
關鍵字: | 矽鍺,鍺,異質結構,二維電洞氣, SiGe,Ge,Heterostructure,Two-dimentional hole gas, |
出版年 : | 2006 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 一直以來,P型半導體比上N型半導體,由於效能的緣故,總是較不被重視,這主要是由於,在同一半導體的有效電洞質量總是比電子的有效質量來的高,造成電洞的載子遷移率較低,也影響了效能;這方面的劣勢也導致CMOS元件無法表現如預期的效能,於是,便有人轉而研究利用不同半導體的合金,例如Si與Ge,想藉次提升元件的效能。
本篇論文主要是進行SiGe/Ge異質結構的傳輸特性之研究,主要是為了研究此SiGe/Ge異質結構在變溫系統下載子的傳輸特性,這是由於傳統上的Si/SiGe異質結構受到合金散射的主導,無法達到很高的載子遷移率,於是我們改用SiGe/Ge異質結構,期望能以Ge通道的高速載子遷移率,改善傳統結構的缺點;實驗上是由變溫的霍爾量測去求得平行電流方向的電阻Rxx與垂直電流霍爾電阻的Rxy,利用Rxx與Rxy和磁場的關係,決定二維電洞氣中流動載子的遷移率以及載子密度ns等參數,進而求出載子移動率與散射機制的關係。 The mobility of holes in p-channel metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFET) is a limiting parameter for complementary MOS (CMOS) circuit performance. This is mainly because the effective mass of holes is much larger than electrons. Therefore, to improve the hole mobilities, we use the new SiGe/Ge heterostructures to instead the old Si/SiGe heterostructures which the mobilities are limited by alloy scattering. Modulation-doped SiGe/Ge heterostructures with thin Ge channel is fabricated to form two-dimensional system. By measuring the magnetoresistance and Hall resistance with the magnetic field dependences, the carrier mobilities and the sheet carrier density can be got. Hope to get the extremely higher mobilities. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/33396 |
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顯示於系所單位: | 電子工程學研究所 |
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