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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/33156
標題: | 矽奈米線場效電晶體電特性之量測 The Electric Characteristic and Measurement of Silicon Nanowire Field Effect Transistor |
作者: | Ke-Chih Chang 張格致 |
指導教授: | 李嗣涔 |
關鍵字: | 矽奈米線,場效電晶體, Silicon Nanowire,Field Effect Transistor,VLS,LPCVD,FIB,I-V characteristics, |
出版年 : | 2006 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 本篇論文中之矽奈米線(SiNW),是利用金奈米顆粒當作催化劑,再經由VLS 機制成長出來的。在基板上的金奈米顆粒,其密度可經由金的沉積時間來控制。在本論文中將討論使用不同直徑的金奈米顆粒當催化劑,而生長出的不摻雜及P型摻雜的矽奈米線之成長特性。此外,並利用Focus Ion Beam (FIB)生長導線來連接矽奈米線與測試探針區(Pad)。再量測矽奈米線場效電晶體的I-V特性。矽奈米線的長度與寬度以及摻雜濃度均會對矽奈米線場效電晶體的I-V特性產生影響,其影響的機制與結果也會有合理的解釋與分析。 The silicon nanowires (SiNWs) with Au nanoparticles as catalyst are grown via vapor-liquid-solid (VLS) mechanism by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD). The density of Au nanoparticles as catalyst on the substrate can be controlled by the Au deposition time. The growth windows of un-doped and p-type doped silicon nanowires with different diameters of Au nanoparticles as catalyst are investigated. The electrical connection between silicon nanowire and test pads are deposited by focus ion beam (FIB). Then the I-V characteristics of silicon nanowire field effect transistor are measured. The effects of the silicon nanowire length, width and doping concentration on I-V characteristics of silicon nanowire field effect transistor are also discussed. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/33156 |
全文授權: | 有償授權 |
顯示於系所單位: | 電子工程學研究所 |
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