請用此 Handle URI 來引用此文件:
http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/32380
標題: | 整合二極體和主動異質接面場效電晶體電路來穩定氮化鎵二極體電流 Current Stability of Active Matrix Heterostructure Field-Effect Transistors Switch Circuits Integrated with GaN Light Emitting Diode |
作者: | Ghien-an shih 施建安 |
指導教授: | 黃建璋 |
關鍵字: | 發光二極體,整合開關電路, LED,Switch circuit, |
出版年 : | 2006 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 我們提出一個新穎異質接面場效電晶體(HFET)主動電路整合二極體晶片,模擬結果包含電流開關電路對於二極體製程及電晶體製程變因的補償效果。我們利用Microarray 發光二極體小尺寸的優點,可以有效改善發光散熱問題,並且有較大的彈性可以應用於照明和顯示應用。我們希望整合Microarray二極體電路晶片,將應用延伸至RGB-LED單一像素的使用,利用電路回授方式穩定發光二極體電流源,並且比較被動方式驅動二極體的缺點,我們利用主動電路提供時序(PWM)電流,透過時序長短來提供不同灰階的發光表現。這是第一次將HFET主動電路整合於氮化鎵(GaN)發光二極體,這提供了另一種方式改善二極體表現,並且有效的降低外部複雜電路的成本。 We demonstrate a novel GaN-based heterojunction field effect transistor (HFET) active matrix circuit for an LED ( Light emitting diode ) micro-display. Simulation results are shown with basic and improved circuits. Variations of process and material growth conditions are discussed by correlating device parameters with LED flow currents in this circuit. It shows that the HFET-LED control circuit approach provides a stability path to mitigate variations of LED currents during operations. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/32380 |
全文授權: | 有償授權 |
顯示於系所單位: | 光電工程學研究所 |
文件中的檔案:
檔案 | 大小 | 格式 | |
---|---|---|---|
ntu-95-1.pdf 目前未授權公開取用 | 1.33 MB | Adobe PDF |
系統中的文件,除了特別指名其著作權條款之外,均受到著作權保護,並且保留所有的權利。