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http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/31872
標題: | 氧化鋅摻雜鎵在P型氮化鎵上的歐姆接觸研究 Investigation of Ga-doped ZnO Ohmic Contact to p-GaN |
作者: | Jia-Lin Juang 莊家霖 |
指導教授: | 吳志毅(Chih-I Wu) |
關鍵字: | 氧化鋅摻雜鎵,歐姆接觸,特徵接觸阻抗, GZO,ohmic contact,specific contact resistance, |
出版年 : | 2006 |
學位: | 碩士 |
摘要: | 本篇論文研究氧化鋅摻雜鎵在p型氮化鎵上的歐姆接觸。我們使用射頻濺鍍儀將氧化鋅摻雜鎵薄膜濺鍍在P型氮化鎵上。350奈米的氧化鋅摻雜鎵薄膜在 400 奈米至 500 奈米的藍光波段有 75% 到 82% 的穿透率。氧化鋅摻雜鎵作為P型氮化鎵的電極,在氮氣環境中退火 700oC 5分鐘可達到 1.2×10-2 (ohm cm2) 的特徵接觸阻抗。使用二次離子質譜儀和X光光電子能譜分析來了解氧化鋅摻雜鎵和P型氮化鎵介面處的反應後,發現熱退火過程可以幫助鎵元素從P型氮化鎵向外擴散,有效減低特徵接觸阻抗。 We report on the Ga-doped ZnO ohmic contact to p-GaN. The GZO transparent ohmic contact layer was deposited on p-GaN by RF- sputter. The transmittance of a GZO film with a thickness of 350 nm was 75%-82% for the light in the wavelength range of 400 and 500 nm.In addition,the GZO contact film yielded a low specific contact resistance of 1.2×10-2 (ohm cm2) on p-GaN when annealed at 700oC for 5 min under a nitrogen ambient. Secondary ion mass spectroscopy and x-ray photoemission spectroscopy analyses of the GZO and p-GaN interface indicated that Ga atoms had out-diffused after the thermal annealing process, resulting in a decrease in contact resistance. |
URI: | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/31872 |
全文授權: | 有償授權 |
顯示於系所單位: | 光電工程學研究所 |
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