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DC 欄位 | 值 | 語言 |
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dc.contributor.advisor | 張顏暉 | |
dc.contributor.author | Huan-Jiun Tian | en |
dc.contributor.author | 田煥均 | zh_TW |
dc.date.accessioned | 2021-06-13T03:21:17Z | - |
dc.date.available | 2006-07-31 | |
dc.date.copyright | 2006-07-31 | |
dc.date.issued | 2006 | |
dc.date.submitted | 2006-07-29 | |
dc.identifier.citation | 第一章
【1】林鶴南,李龍正,劉克迅,科儀新知,17,(3),29(1995) 【2】 Gordon E. Moore. Electronics, Volume 38, Number 8, April 19,1985 【3】 T. Fayield, T. K. Higman, J. Vac., Sci. Technol. B 13, 1285 (1995). 【4】 A. Majumdar, P. I. Oden, J. P. Carrejo, L. A. Nagahara, J.J. Graham, J.Alexander, Appl. Phys. Lett. 61, 2293 (1992). 【5】 H. Sugimura, N. Nakagiri, Jpn. J. Appl. Phys. 34, 3406 (1995). 【6】 E. S. Snow, D. Park, P. M. Campell, Appl. Phys. Lett. 69, 269 (1996). 【7】 J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, and H. Yokoyama, J.Appl. Phys. 84, 6891 (1998). 【8】 http://www.2spi.com/catalog/new/hopgsub.shtml 【9】 http://www.tectra.de/hopg.htm 【12】 D. Wang, L. Tsau, and K.L. Wang, Appl. Phys. Lett. 64, 2133(1994). 【13】E.S. Snow and P.M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 64, 1932(1994). 【14】 M.S. Hagedom, D.D. Litfin, G.M. Price, A.E.Gordon, and T.K. Higman, J.Vac.Sci.Technol. B.14, 4153(1996). 【15】 K. Matsumoto, M. Ishill, K. Segawa,Y. Oka, B.J. Vartanian, and J.S. Harris, Appl.Phys. Lett. 68, 34(1996). 【16】 E.S. Snow and P.M. Campbell, Science 250, 1639(1995). 【17】 H. Sugimura, T. Cuchida, N. Kitamura, and H. Masuhara, Appl. Phys. Lett.63,1288(1993). 【18】 E.S. Snow, D. Park and P.M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 69, 269(1996). 【19】 D. Wang, L. Tsau, and K.L. Wang, Appl. Phys. Lett. 67, 1295(1995). 【20】 S. Gwo, C.L. Yeh, P.F. Chen, Y.C. Chou, and T.T. Chen, Appl. Phys. Lett. 74,1090(1999). 【21】 T. Yasuda, S. Yamasaki, and S.Gwo, Appl. Phys. Lett. 77, 3917(2000). 【22】 F.S.S. Chien, J.W. Chang, S.W. Lin, Y. C. Chou, T.T. Chen, S.Gwo, T. S. Chao,and W.F. Hiseh, Appl. Phys. Lett. 74, 360(2000). 【23】 Y. Kim, and C.M. Lieber, Science 257, 375(1992). 【24】 M. Tello and R. García, Appl. Phys. Lett. 79, 424(2001). 【25】 R. García, M. Calleja, and F. P. Murano, Appl. Phys, Lett. 72, 2295(1998). 【26】 P. Avouris, T. Hertel, and R. Martel, Appl. Phys.Lett. 71, 285(1997). 第二章 【1】G. Binnig, H. Rohrer, Helv. Phys. Acta. 55, 726 (1982). 【2】G. Binnig, C. F. Quate,Gerber Ch., Phys. Rev. Lett. 56, 930(1986). 【3】NT-MDT Instruction Manual(NT-MDT Co.,Moscow,Russia). 【4】S.N. Magonov and M.H. “hangbo,Surface Analysis with STM and AFM’’, VCH,1995 【5】Samuel H. Cohen, Mona T.Bray and Marcia L.lightbody. “Atomic Force Miscorscopy/Scanning Tunneling Microscopy”, Plenum, 1994. 【6】陳威志, 國立中央大學 九十二年度碩士論文. 【7】J. A. Dagata, J. Schneir , H. H .Harary, C. J. Evans, M. T. Postek and J.Bennet , Appl. Phys. Lett. 56, 2001 (1990). 【8】T. Yoshinobu, J. Suzuki, H. Kurooka, W. C. Moon,and H. Iwasaki, Electrochimica Acta, 48, 3131 (2003) . 【9】R. Held, T. Heinzel, P. Studerus and K. Ensslin, Physica E , 2 ,748(1998). 【10】Y.R. Ma, C. Yu, Y.D. Yao, Y. Liou and S.F. Lee, Phys. Rev. B. 64, 195324 (2001) . 【11】吳忠霖, 簡世森, 果尚志, 物理雙月刊,廿一卷四期, 429 (1999). 【12】 A.E. Gordon, R.T. Fayfield, D. D. Litfin and T. K. Higman,J.Vac. Sci. Technol. B. 13, 2805 (1995). 【13】 H. Bloe, G. Staikov,and J. W. Schultze.,Electrochimica Acta. 47,335 (2001). 【14】 S. Gwo, C.L. Yeh, P.F. Chen, Y. C. Chou, and T. T. Chen, Appl. Phys. Lett. 74, 1090 (1999). 【15】 M. Wittmer, J. Noser and H. Melchior, J. Appl. Phys. 52, 6659(1981). 【16】 Z. J. Davis, G. Abadal, O. Hansen, X. Borise, N. Barniol, F. P. Murano, and A. Boisen , Ultramicroscopy, 97, 467(2003). 【17】 K. Ueno, R. Okada, K. Saiki,and A. Koma, Surf. Sci. 514, 27(2002). 【18】 M. Tello and R. Garcia, Apply. Phys. Lett. 79, 424(2001). 第三章 【1】 K.S.Novoselov, A.K.Geim, S.V.Morozov, D.jiang, Y.Zhang, S.V. Dubonos, I.V.Grigorieva, and A.A.Firsov, Science 306, 666(2004) 【2】Xuekun Lu, Hui Huang, Nikolay Nemchuk, and Rodney S. Ruoff, Appl. Phys. Lett. 75,193 (1999) 【3】 S.Banerjee, M.Sardar, N.Gayathi, K,Tyagi, and Baldev Raj, Phys. Rev. B 72, 075418(2005) 【4】 X. Lu, H. Huang, N.Nemchunk, R.S. Ruoff,Appl. Phys. Lett. 75,193(1999) 【5】 施敏,半導體元件物理與製作技術(第二版)(2002),p.556. 【6】邱燦賓、施敏, 「電子束微影技術」, 科學發展月刊-28卷6期, 423~434頁,2000年3月. 第四章 【1】 K.S.Novoselov, A.K.Geim, S.V.Morozov, D.jiang, Y.Zhang, S.V. Dubonos, I.V.Grigorieva, and A.A.Firsov, Science 306, 666(2004) 【2】Xuekun Lu, Hui Huang, Nikolay Nemchuk, and Rodney S. Ruoff, Appl. Phys. Lett. 75,193 (1999) 【3】 S.Banerjee, M.Sardar, N.Gayathi, K,Tyagi, and Baldev Raj, Phys. Rev. B 72, 075418(2005) 【4】 X. Lu, H. Huang, N.Nemchunk, R.S. Ruoff,Appl. Phys. Lett. 75,193(1999) 【5】 施敏,半導體元件物理與製作技術(第二版)(2002),p.556. 【6】邱燦賓、施敏, 「電子束微影技術」, 科學發展月刊-28卷6期, 423~434頁,2000年3月. 第五章 【1】 Phaedon Avouris, Tobias Hertel, and Rechard Martel, Appl. Phys. Lett,71,(2),285(1997). 【2】Montserrat Calleja and Ricardo Garcia,Appl. Phys. Lett,76,(23),3427(2000). | |
dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/31823 | - |
dc.description.abstract | 本論文使用原子力顯微鏡微影術(Atomic Force Microscopy -Lithography,AFM-Lithography),運用導電探針加電壓方式,直接在高定向熱解石墨(Highly Oriented Pyrolytic Graphite)表面上產生局部場致陽極氧化(Tip-Induced Local Anodic Oxidation)來製作奈米結構。
原子力顯微鏡具有高解析度的特性,利用原子力顯微鏡微影所製作出來的氧化圖案可達奈米級尺度,因此我們藉由外加不同電壓以及改變掃描速率,來探討外加電壓與掃描速率各自對氧化線深度的關係,並且比較不同相對濕度下氧化線深度的差異。 本論文同時對如何取得石墨薄膜,以及製備可供量測樣品的製程,做了詳盡的敘述,此過程需要繁複的製作流程與精確的參數控制,方能製作出結構良好的樣品。其製程包括:光微影,三次的金屬蒸鍍與剝離,兩次電子束微影,製備石墨薄膜,原子力顯微鏡量測與定位,最後利用電子顯微鏡或原子力顯微鏡觀察蒸鍍結果,確認蒸鍍的金屬線是否有接到石墨。 | zh_TW |
dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-13T03:21:17Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-95-R92222060-1.pdf: 2102019 bytes, checksum: df0e6d3a27d4fa8461219c8147ed6459 (MD5) Previous issue date: 2006 | en |
dc.description.tableofcontents | 目 錄
誌謝 摘要 目錄 圖索引 表索引 第一章 緒論..........................................1 1.1 前言................................................1 1.2 高定向熱解石墨......................................3 1.3 研究動機............................................6 第二章 原子力顯微鏡微影技術.....................11 2.1 原子力顯微鏡介紹...................................11 2.2 基本原理...........................................12 2.3 儀器裝置...........................................14 2.3.1 探針...........................................15 2.3.2 壓電陶瓷掃描器.................................17 2.3.3 懸臂偏移監視系統...............................22 2.3.4 控制系統.......................................24 2.3.5 隔離防震系統...................................24 2.4 掃描方式...........................................25 2.4.1 接觸式.........................................25 2.4.2 非接觸式.......................................27 2.4.3 輕敲式.........................................28 2.5 探針陽極氧化原理...................................29 第三章 實驗程序及方法.............................35 3.1 薄膜的準備.........................................35 3.1.1 撈取石墨薄膜碎片...............................35 3.1.2 驗證石墨薄膜碎片...............................36 3.1.3 熱氧法.........................................39 3.1.4 標準清洗製程...................................41 3.1.5 改良石墨薄膜之取得方法.........................43 3.2 樣品的設計與製作...................................48 3.2.1 樣品表面清潔...................................49 3.2.2 光微影.........................................49 3.2.3 原子力顯微鏡定位石墨薄膜.......................51 3.2.4 電子束微影.....................................53 3.3 接觸式原子力顯微鏡的氧化加工.......................61 第四章 實驗結果與討論.......................64 4.1 施加氧化電壓變化的影響.............................64 4.2 控制掃描速率變化的影響.............................67 4.3 不同大氣濕度的影響.................................73 4.4 修正定位方法.......................................80 4.4.1 縮小光微影圖型尺寸.............................80 4.4.2 精準度更高之定位十字...........................82 4.4.3 光微影之光罩誤差修正...........................83 4.4.4 清潔樣品底部...................................83 4.4.5 系統誤差.......................................83 4.5 改進剝離方法.......................................84 4.5.1 清潔樣品表面...................................85 4.5.2 去光阻劑之浸泡時間及溫度.......................86 4.5.3 蒸鍍金屬.......................................86 4.5.4 增加線寬.......................................87 第五章 總結.........................................90 | |
dc.language.iso | zh-TW | |
dc.title | 原子力顯微鏡於高定向熱解石墨製作奈米結構之研究 | zh_TW |
dc.title | Fabrication of nanostructure on
Highly Oriented Pyrolytic Graphite (HOPG) by atomic force microscope. | en |
dc.type | Thesis | |
dc.date.schoolyear | 94-2 | |
dc.description.degree | 碩士 | |
dc.contributor.oralexamcommittee | 陳永芳,梁啟德 | |
dc.subject.keyword | 原子力顯微鏡,高定向熱解石墨,陽極氧化, | zh_TW |
dc.subject.keyword | AFM,HOPG,anodic oxidation, | en |
dc.relation.page | 92 | |
dc.rights.note | 有償授權 | |
dc.date.accepted | 2006-07-30 | |
dc.contributor.author-college | 理學院 | zh_TW |
dc.contributor.author-dept | 物理研究所 | zh_TW |
顯示於系所單位: | 物理學系 |
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