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| DC 欄位 | 值 | 語言 |
|---|---|---|
| dc.contributor.advisor | 王玉麟 | |
| dc.contributor.author | Liang-Yu Yen | en |
| dc.contributor.author | 嚴亮宇 | zh_TW |
| dc.date.accessioned | 2021-06-08T06:57:16Z | - |
| dc.date.copyright | 2009-07-23 | |
| dc.date.issued | 2009 | |
| dc.date.submitted | 2009-07-17 | |
| dc.identifier.citation | 1. Yuanbo Zhang, et al. Nature 438, 201 (2005)
2. Changgu Lee, et al. Science 321, 385 (2008) 3. Claire Berger, et al. J. Phys. Chem. 108, 19912 (2004) 4. P. R. Wallace, Phys. Rev. 71, 622 (1947) 5. R. M. Tromp and J. B. Hannon, Phys. Rev. Lett. 102, 106104 (2009) 6. K. V. Emtsev, et al. Nature Materials 8, 203 (2009) | |
| dc.identifier.uri | http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/25936 | - |
| dc.description.abstract | 自從2004年graphene被曼徹斯特大學的研究團隊發現以來，這種理論上不能穩定存在的二維晶體立刻吸引了許多科學家的注意力。目前為止，實驗上能夠有效製備石墨烯的方法有三種：在高定向熱解石墨(HOPG)上用機械剝離方法、化學分散法、在碳化矽上加熱製成。
本實驗利用高溫環境下Si從SiC表面先脫附的特性在6H-SiC(0001)面上成長graphene。改變不同的生長條件，加熱方法、加熱溫度、時間等等，在超高真空腔裡利用低能量電子繞射儀(LEED, low energy electron diffraction)與歐傑電子能譜(Auger spectrometer)研究表面組成與結構，以及掃描穿隧電子顯微鏡(STM, scanning tunneling microscopy)分析graphene薄膜。 本實驗的目的在於研究如何成長大面積的graphene薄膜，對於想要利用graphene的高電子遷移率來做電子裝置代矽晶片的目標來說，這是最有興趣且急需解決的問題。 | zh_TW |
| dc.description.provenance | Made available in DSpace on 2021-06-08T06:57:16Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ntu-98-R96222046-1.pdf: 4462033 bytes, checksum: cd5b2d52928d9759dae0f0d950f01d1d (MD5) Previous issue date: 2009 | en |
| dc.description.tableofcontents | 目錄
第1章 1 1.1 簡介 1 1.2 graphene介紹 3 第2章 實驗儀器與過程 5 2.1 儀器裝置 5 2.1.1 超高真空系統（UHV system） 5 2.1.2 加熱裝置 6 2.1.3 氣體純化 7 2.1.4 其他量測儀器 7 2.2 實驗過程 8 2.2.1 超音波震洗、RCA流程 8 2.2.2 Hydrogen etching 8 2.2.3 成長graphene 9 第3章 結果與討論 10 3.1 高溫氫氣處理 (Hydrogen etching) 10 3.1.1 改變氫氣處理時最高溫度之結果 10 3.2 真空中加熱生成graphene 16 3.2.1 溫度梯度 16 3.2.2 程式控溫脫附 17 3.2.3 結果 18 3.2.4 氧氣處理 24 3.3 在大氣壓氬氣(Ar)下成長graphene 25 3.3.1 動機 25 3.3.2 結果 25 3.3.3 已發現之問題 30 3.4 交流電源加熱成長graphene 32 第4章 總結 34 參考文獻 35 | |
| dc.language.iso | zh-TW | |
| dc.title | Graphene在碳化矽上的生成與研究 | zh_TW |
| dc.title | Growth of graphene on SiC | en |
| dc.type | Thesis | |
| dc.date.schoolyear | 97-2 | |
| dc.description.degree | 碩士 | |
| dc.contributor.coadvisor | 宋克嘉 | |
| dc.contributor.oralexamcommittee | 王偉華 | |
| dc.subject.keyword | 石墨烯,碳化矽,磊晶, | zh_TW |
| dc.subject.keyword | graphene,SiC,epitaxial, | en |
| dc.relation.page | 35 | |
| dc.rights.note | 未授權 | |
| dc.date.accepted | 2009-07-17 | |
| dc.contributor.author-college | 理學院 | zh_TW |
| dc.contributor.author-dept | 物理研究所 | zh_TW |
| 顯示於系所單位： | 物理學系 | |
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| 檔案 | 大小 | 格式 | |
|---|---|---|---|
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