兩種聯想記憶模式之研究

Abstract

本文討論並比較三種聯想記憶模式，分別是陶卿等所著的模式[8]，etAM(容錯聯想記憶)，和mECR(錯誤更正規則)。在本文中整理分析這三種記憶模式，並依照這三種模式對於所有的輸入可能的收斂性作比較。 本文取材自國科會計畫(NSC 93-2213-E-002-081)與類神經網路課程(922 U1180)講義討論三個聯想記憶結構，其中一個結構為陶卿等所著[8]，另二結構請參考作品[5]。陶的程式由助理吳泰輝同學提供，[5]的程式取材自講義。作者自 94 年 3 月下旬開始比較這三個記憶結構，並將結果整理記載成文。

This paper discusses three associative memory models. The three models are Tao's AM, etAM and mECR. Tao's AM is based on projection on a closed convex set spanned by patterns. etAM and mECR are based on tuning hyperplanes to get the desired error tolerance. The three models are analyzed, and then compared based on the convergence of all possible binary inputs.