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  1. NTU Theses and Dissertations Repository
  2. 管理學院
  3. 會計與管理決策組
請用此 Handle URI 來引用此文件: http://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/18264
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DC 欄位值語言
dc.contributor.advisor李吉仁,李艷榕
dc.contributor.authorHeng-Hsin Liuen
dc.contributor.author劉恆信zh_TW
dc.date.accessioned2021-06-08T00:57:09Z-
dc.date.copyright2015-03-02
dc.date.issued2015
dc.date.submitted2015-02-10
dc.identifier.citation一、 中文部分
王端,2013,「FinFET引爆投資熱,半導體業啟動新一輪競賽」,新電子期刊,September。
吳琇君,2013,SEMI 450mm製程趨勢論壇 揭示18吋晶圓製程標準最新進展,SEMI新聞稿,2013-Oct-14。
邱志聖,2010,策略行銷分析-架構與實務應用 (三版), 台北: 智勝文化。
張淳矞,2014, 截至2013年12月的十大IC晶圓產能領先代工 。兩岸晶圓代工大廠競爭分析,資策會 MIC 期刊報告。
許書銘,2013,初版,「競合架構與廠商行為」,收錄於策略管理精論,于卓民、李吉仁(編),頁113-144,台北:前程文化。
陳昱翔,2012,各大晶圓廠FinFET量產時程表,新電子期刊,12月號。
湯明哲,2011,策略精論.基礎篇,台北:旗標出版社。
劉恆逸譯,2010,現代策略管理,台北: 華泰文化。Robert M. Grant, Contemporary Strategy Anylysis (4th edn). Blackwell: Oxford, 2008
潘健光,2013, 邏輯製程演進下之IC製造產業競爭態勢,資策會MIC網站
蘇俊鐘,2005,正光阻與負光阻原理,NCHC奈米科學研究小組,載於NCHC。
二、 英文部分
Bohr, M., 2011, Moore's Law in the innovation era. Paper presented at the 2011 SPIE Advanced Lithography.
Bohr, M., 2014, 14 nm Process Technology: Opening New Horizons. Paper presented at the Intel IDF 2014, San Francisco: CA.
Gargini, P. 2011, Potential Lithography Solutions, ITRS 2011 Roadmap.
Gargini, P. 2011, Typical ILD Hierarchical Cross Sections.ITRS wihte paper: Book Typical ILD Hierarchical Cross Sections.
Marcel, K. 2014, EUV Supporting Morre's Law, ASML 2014 Global TMT Conference, 2014 Sep-4, London.
McGrath, D. 2012, ASML to buy lithography source vendor Cymer. EE Times 2012-Oct.
Moore, G. E., 1964, Cost vs. time sketch from Moore's 1964 notebook. USA:Intel.
Nalebuff, B. J., and Brandenburger, A. 1996 Co-opetition. New York, NY: Harper Collins Business.
Peeters, R. 2013. ASMLers, R.12-Octgraphy source vendor Cymerical Cross S. Paper presented at the 2013 SPIE Advanced Lithography.
Porter, M. E.1985. Competitive Advantage: creating and sustaining superior performance. New York: Free Press.
Ushida, K. 2014. A Nikon Group Capable of another Century of Growth. Presented by Nikon Management Message, page 26. Nikon Report 2014.
Van der Meulen, Rob. 2014, Worldwide Semiconductor Manufacturing Equipment Spending Forecast, Gartner's website 3Q14 Update.
Wennink, P. 2014, ASML confirms full-year sales guidance, supported by solid backlog, ASML 2014 Third Quarter Results(page 9, 12, 21): ASML.
dc.identifier.urihttp://tdr.lib.ntu.edu.tw/jspui/handle/123456789/18264-
dc.description.abstract近三十年半導體製造技術蓬勃成長,全世界半導體製造技術已經可以達到14或16奈米量產,電晶體從2D平面式變成3D鰭狀式FinFET,因此能減少漏電流、提高效能,並縮小電晶體閘線寬。除了微縮線路可提高晶片效能外,廠商更積極研發450mm晶圓製造技術,降低晶片製造成本,惟這兩種途徑都需要有先進的微影技術與設備協助。
然而,先進微影技術需要高額的研發費用與高風險投資,使得主要先進微影曝光機廠商都面臨如何進入新世代技術的難題,如何能夠將研發與生產的風險降低,甚至能與客戶共同承擔風險,建立共同投資的合作互利模式,便成為微影設備廠商的策略重點。
本論文係以交易成本與價值網理論為基礎,探討半導體微影設備商進入高資本與技術密集的產業,如何邀請客戶加入新技術賽局,結盟互補者或併購供應商改變賽局規則,降低彼此投資風險與投資成本,分攤彼此風險,增加客戶潛在價值,以達到雙贏的結局;本論文研究以目前在先進微影設備領域龍頭廠商,艾斯摩爾公司(ASML),為個案進行質性研究。
半導體微影設備商艾斯摩爾提供新世代的微影技術能力,企圖解決先進技術和經濟效益難以兼顧的挑戰。在新世代技術進程中,需要投資龐大研發資金,艾斯摩爾邀約客戶參與投資發展極紫外光曝光設備,為客戶創造價值,降低投資成本與投資風險,增加客戶快速進入市場可能性。同時,購併其主要供應商加速研發,積極改變進入新世代技術的賽局,兼顧新技術發展與風險管理,善用價值網來創造公司附加價值。
zh_TW
dc.description.abstractNearly three decades of booming growth of semiconductor manufacturing technology, the world's semiconductor manufacturing technology has reached 14 or 16-nanometer production, from 2D planar transistors become flippers style 3D FinFET, thereby reducing leakage current, improve performance, and reduce transistor gate width. In addition to the miniature circuit chip that can improve the effectiveness, some vendors even more actively develop 450mm wafer manufacturing technology to reduce wafer fabrication cost. Nevertheless, both approaches need to be supported by advanced lithography technology and equipment.
However, advanced lithography technology requires extremely high R&D costs associated with high-risk investments, making major advanced lithography exposure equipment vendors face the decision dilemma of whether and how to enter into the next generation of technology by reducing their investment risks or by sharing risks with key customers through establishing cooperative investment patterns, which has been the strategic focus of major lithography equipment manufacturers.
The present thesis research examines this critical issue by applying the theoretical lens of transaction costs theory and value net framework. Guided by these theoretical insights, we attempts to explore feasible ways for the advanced lithography equipment manufacturers to engage key customers to a multi-party alliance and to acquire critical complementors so that an win-win strategy can be facilitated. To elaborate how such a co-opetition strategy can be formulated, we undertake an leading vendor in this area, ASML, as the focus of thesis study.
ASML attempts to address the challenges of balancing investment risks and economic benefits with multiple measures. ASML first invited customers to participate an alliance for developing extreme ultraviolet exposure equipments. They then create value for customers by lowering investment costs and investment risk and increase the likelihood of customers to quickly enter into the market. They then acquire and accelerate the development of its major suppliers and complementors and eventually hook-up stakes of both sides to realize value.
en
dc.description.provenanceMade available in DSpace on 2021-06-08T00:57:09Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 2015
en
dc.description.tableofcontents目錄
口試委員審定書 ii
誌謝 iii
中文摘要 iv
英文摘要 v
目錄 vi
圖目錄 viii
表目錄 x
第一章 緒論 1
第一節、研究動機 5
第二節、研究問題與目的 6
第三節、研究方法與研究限制 7
第四節、論文章節架構 8
第二章 文獻探討 10
第一節、五力分析 10
第二節、價值鏈( Value Chain) 13
第三節、價值網( Value Net) 15
第四節、交易成本理論之專屬陷入成本 17
第三章 半導體製造產業的世代技術更迭探討 20
第一節、半導體產業與供應鏈分析 20
第二節、平面到3D-FinFET電晶體: 啟動半導體業新競賽 23
第三節、先進微影技術的發展歷程與現況 26
第四節、8吋與12吋晶圓世代交替 33
第五節、12吋到18吋半導體產業的展望 41
第六節、微縮線寬的物理極限 45
第四章 艾斯摩爾面臨新技術發展的策略難題 49
第一節、艾斯摩爾的技術發展: 無「微」不至的摩爾定律使者 49
第二節、艾斯摩爾新技術發展的進入策略難題 51
第三節、三個主要買家(intel, tsmc, samsung)的策略行動 57
第四節、艾斯摩爾主要競爭者(Nikon、Canon)的策略行為 70
第五章 艾斯摩爾新世代技術的進入策略研究 76
第一節、艾斯摩爾的商業模式 76
第二節、艾斯摩爾的戰術行動 76
第三節、艾斯摩爾的價值網架構分析 82
第六章 結論與建議 87
第一節、研究結論 87
第二節、研究建議 88
參考文獻 90
附錄 一 92
附錄 二 97

圖目錄
圖1-1 智慧型手機與平板電腦的興起 - 邏輯IC成長趨勢 3
圖1-2 記憶體IC市場的成長趨勢-記憶體IC 3
圖1-3 半導體價值鏈(value chain)分析 4
圖1-4 本論文架構 8
圖2-1 波特的五力分析模型 11
圖2-2 價值鏈(value chain)分析 13
圖2-3 價值網(Value Net)分析 16
圖2-4 交易的最終總成本 17
圖2-5 專屬陷入成本的產生 18
圖3-1 半導體供應鏈 20
圖3-2 看不到盡頭的邏輯IC微縮 23
圖3-3 各大晶圓廠FinFET量產時程表 24
圖3-4 摩爾定律摘自Moore's 1964筆記簿 27
圖3-5 微影的曝光需要收集完整的光源訊號 28
圖3-6 最小線寬與微影波長的趨勢圖 30
圖3-7 衝破晶圓製造瓶頸的一滴水 32
圖3-8 晶圓尺寸變大演進圖 34
圖3-9 2009~2014年全球半導體產業併購交易數與總額 41
圖3-10 14奈米到底有多小 ? 46
圖3-11 未來微影技術可能方案 47
圖4-1 艾斯摩爾 EUV 大於五百片的每日目標專案 54
圖4-2 2002∼2020年艾斯摩爾浸潤式微影系統產品發展藍圖 55
圖4-3 邏輯晶片之主要晶圓製程世代量產時程 57
圖4-4 半導體製造科技三雄先進製程世代量產時程 58
圖4-5 intel的滴答策略行動 59
圖4-6 MPU、ASIC與Flash結構不同造成生產線轉換的僵固性 64
圖4-7 艾斯摩爾, 尼康, 佳能 市佔率, 1992 ~ 2007 71
圖4-8 半導體設備上半年銷售數量: 2013 vs. 2014 73
圖4-9 尼康公司組織改組 74
圖4-10 Nikon公司的四大計畫 74
圖4-11 艾斯摩爾, 尼康, 佳能 市佔率, 1992 ~ 2011 75
圖5-1 艾斯摩爾研發投資成本逐年上昇 77
圖5-2 2009∼2015年艾斯摩爾 EUV微影系統產品發展藍圖 78
圖5-3 ASML價值網(Value Net)分析 84
附圖1-1 曝光原理 92
附圖1-2 正光阻與負光阻原理 93
附圖1-3 今日浸潤式微影技術使用一維設計延伸至10 nm節點 95
 
表目錄
表1-1 全球半導體製造設備支出預估, 2013-2018 ($M) 2
表2-1 業界常用建立專屬的資產方法 19
表3-1 2013年全球半導體領先晶圓代工產能排名 39
表3-2 半導體技術世代交替-準備量產須要花上6-7年的時間 45
表3-3 微影技術將面對未來的艱難挑戰 48
表4-1 2010-2011年全球半導體設備營收排名 50
表4-2 英特爾滴答步伐 60
dc.language.isozh-TW
dc.title半導體先進微影設備廠商的新世代技術進入策略研究zh_TW
dc.titleA Study on the Entry Strategy of Next Generation Technology of Advanced Semiconductor Lithography Equipment Manufacturersen
dc.typeThesis
dc.date.schoolyear103-1
dc.description.degree碩士
dc.contributor.oralexamcommittee陳俊忠
dc.subject.keyword半導體產業,先進微影設備,交易成本理論,競合策略,zh_TW
dc.subject.keywordSemiconductor Industry,Advanced Lithographic Technology and Equipments,Transaction Costs Theory,Co-opetition Strategy,en
dc.relation.page101
dc.rights.note未授權
dc.date.accepted2015-02-10
dc.contributor.author-college管理學院zh_TW
dc.contributor.author-dept會計與管理決策組zh_TW
顯示於系所單位:會計與管理決策組

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