搜尋
新增篩選器:
使用篩選器讓結果更精確。
第 1 到 4 筆結果,共 4 筆。
- 上一個
- 1
- 下一個
符合的文件:
出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2011 | 基於絕緣層上覆矽基板及純矽基板製作絕緣層上覆多晶鍺之研究 The Investigation of Polycrystalline Germanium on Insulator Based on SOI and Si Substrates | Chung-Wei Lin; 林忠偉 | 電子工程學研究所 |
2016 | 利用氧化層磊晶系統製作氧化釔及釔參雜氧化鍺金氧半電容元件與分析 Analyses of Yttrium Oxide and Yttrium–doped Germanium Oxide on Germanium by Oxide MBE | Wei-Ting Shen; 沈威廷 | 電子工程學研究所 |
2013 | 鍺鈍化層介面抓陷之探討以及矽晶穿孔結構損耗分析 The Investigation of Interface Trap of Ge Based Passivation Layer and the Loss Analysis of Through Silicon Via Structure | Shih-Jan Luo; 羅士展 | 電子工程學研究所 |
2019 | 鍺金氧半電容介面缺陷密度與遲滯現象降低及等效功函數之調變 Interface Trap Density and Hysteresis Reduction of Ge MISCAPs and Effective Work Function Modulation | Chih-Hsiung Huang; 黃智雄 | 電子工程學研究所 |