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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2018 | 具環繞閘金氧半穿隧二極體結構之研究 Study of MIS(p) Tunneling Diode Structures with Surrounding MIS(P) Gate | Hung-Yu Chen; 陳虹宇 | 電子工程學研究所 |
2006 | P型與N型金氧半電容元件於超薄氧化層之電特性比較及應用 Comparison of the Electrical Characteristics of MOS Capacitors with Ultra-thin Oxides Grown on P- and N-type Si Substrates | Shu-Jau Chang; 張書照 | 電子工程學研究所 |
2011 | 超薄氧化層金氧半電容元件之製程開發與特性分析 Process Development and Characterization of MOS Capacitor with Ultra-thin Oxide | Tzu-Yu Chen; 陳姿妤 | 電子工程學研究所 |
2005 | 超薄閘極氧化層形變溫度施壓效應之研究 Investigation of Strain-Temperature Stress on Rapid Thermal Ultra-thin Gate Oxides | Chia-Wei Tung; 董佳衛 | 電子工程學研究所 |