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電子工程學研究所
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第 1 到 10 筆結果,共 52 筆。
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出版年
標題
作者
系所
2006
P型與N型金氧半電容元件於超薄氧化層之電特性比較及應用
Comparison of the Electrical Characteristics of MOS Capacitors with Ultra-thin Oxides Grown on P- and N-type Si Substrates
Shu-Jau Chang; 張書照
電子工程學研究所
2011
超薄氧化層金氧半電容元件之製程開發與特性分析
Process Development and Characterization of MOS Capacitor with Ultra-thin Oxide
Tzu-Yu Chen; 陳姿妤
電子工程學研究所
2016
嵌入式補償性金屬對超薄氧化層金氧半穿隧二極體之電特性影響
Effect of Compensatory Embedded Aluminum on the Electrical Characteristics of MIS Tunnel Diode with Ultrathin Oxide
Jun-Yao Chen; 陳俊堯
電子工程學研究所
2008
伸張應力對快速熱成長超薄閘極氧化層金氧半電容元件之效應
Effect of Tensile-stress on MOS Capacitors with Rapid Thermal Ultra-Thin Gate Oxides
Chien-Yu Liu; 劉建語
電子工程學研究所
2005
應力對超薄閘極氧化層金氧半元件之效應
Effects of Stress on MOS Devices with Ultra Thin Gate Oxides
Chien-Jui Hung; 洪劍睿
電子工程學研究所
2005
利用交直流陽極氧化補償技術改善超薄閘極氧化層品質
Quality Improvement in Ultra-Thin Gate Oxides by Direct-Current Superimposed With Alternating-Current Anodization (DAC-ANO) Compensation Technique
Yen-Ting Lin; 林彥廷
電子工程學研究所
2005
應用硝酸氧化及陽極氧化補償技術製作金氧半元件之奈米尺度高介電係數氧化鉿閘極介電層
Application of Chemical Oxidation in Nitric Acid and Anodic Oxidation Compensation Techniques on Preparing Nano-Scale High-k HfO2 Gate Dielectrics in MOS Devices
Chia-Hua Chang; 張嘉華
電子工程學研究所
2006
形變溫度施壓對超薄閘極氧化層金氧半元件之效應
Effects of Strain-Temperature Stress on MOS Capacitors with Ultra-thin Gate Oxides
Chia-Nan Lin; 林佳男
電子工程學研究所
2020
耦合金屬-超薄絕緣層-半導體穿隧二極體之延遲暫態行為
Prolonged Transient Behavior in Coupled Ultra-Thin Oxide MIS-Tunnel Diodes
Ting-Hao Hsu; 許庭昊
電子工程學研究所
2014
以硝酸氧化備製中堆疊高介電常數氧化鉿閘極介電層之金氧半電容元件特性研究
Investigation of HfO2 High-k Gate Dielectrics in Tandem Structure Fabricated by Nitric Acid Oxidation for MOS Devices
Xing-You Lin; 林星佑
電子工程學研究所
探索
系所
52
電子工程學研究所
學位
43
碩士
9
博士
作者
2
huang-hsuan lin
2
林黃玄
1
bo-jyun chen
1
chang-feng yang
1
chang-tai yang
1
chao-shun yang
1
chia-hua chang
1
chia-ju chou
1
chia-jui lee
1
chia-ming hsu
.
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關鍵字
6
金氧半穿隧二極體
5
mos
5
超薄氧化層
4
mis tunnel diode
4
金氧半電容
4
金氧半電容元件
4
陽極氧化
3
mos capacitor
3
ultrathin oxide
2
mis
.
下一頁 >
出版年
34
2010 - 2020
18
2005 - 2009
全文
52
true