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第 1 到 10 筆結果,共 52 筆。
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系所
2019
不對稱之電場耦合效應對超薄氧化層金氧半元件之電特性影響與其相關應用
The Asymmetric Coupling Effect on the I-V Characteristic of Ultrathin-Oxide MIS Devices and Its Applications
Yu-Hsuan Chen; 陳昱諠
電子工程學研究所
2017
超薄氧化層金氧半電容元件中不均勻效應之特性分析與模型
Characterization and Modeling of Non-Uniformity Effect in MOS Capacitors with Ultrathin Oxides
Huang-Hsuan Lin; 林黃玄
電子工程學研究所
2019
鋁金屬-絕緣層-矽基半導體穿隧二極體暫態電流峰值特性與其應用
Study of the Transient Current Peak Characteristics in Al/SiO2/Si Tunnel Diode Structure and Its Applications
Yu-Heng Liu; 劉宇恒
電子工程學研究所
2018
具環繞閘金氧半穿隧二極體結構之研究
Study of MIS(p) Tunneling Diode Structures with Surrounding MIS(P) Gate
Hung-Yu Chen; 陳虹宇
電子工程學研究所
2012
缺陷捕捉與照光對具氧化鉿/二氧化矽介電層 金氧半結構電容-電壓特性之影響
Trapping and Illumination Effects on the C-V Characteristics of MOS Structures with HfO2/SiO2 Dielectrics
Ching-Kai Tseng; 曾敬凱
電子工程學研究所
2008
金氧半元件中高介電係數閘極介電層之反轉穿隧電流特性分析
Characterization of Inversion Tunneling Current for MOS Devices with High-k Gate Dielectrics
Chih-Hao Chen; 陳志豪
電子工程學研究所
2009
以遮蔽式蒸鍍及硝酸氧化技術低溫製備高介電係數氧化鋁閘極介電層
Al2O3 High-k Gate Dielectrics Fabricated by Shadow Evaporation and Nitric Acid Oxidation under Low Temperature Process for MOS Devices
Ching-Hang Chen; 陳慶航
電子工程學研究所
2016
嵌入式補償性金屬對超薄氧化層金氧半穿隧二極體之電特性影響
Effect of Compensatory Embedded Aluminum on the Electrical Characteristics of MIS Tunnel Diode with Ultrathin Oxide
Jun-Yao Chen; 陳俊堯
電子工程學研究所
2013
超薄閘極氧化層金氧半結構元件在反轉區下受邊緣影響之電流行為
Edge-Dependent I-V Behavior of MOS Structures with Ultrathin Oxides under Inversion Region
Pei-Lun Hsu; 徐培倫
電子工程學研究所
2020
耦合金屬-超薄絕緣層-半導體穿隧二極體之延遲暫態行為
Prolonged Transient Behavior in Coupled Ultra-Thin Oxide MIS-Tunnel Diodes
Ting-Hao Hsu; 許庭昊
電子工程學研究所
探索
系所
52
電子工程學研究所
學位
43
碩士
9
博士
作者
2
huang-hsuan lin
2
林黃玄
1
bo-jyun chen
1
chang-feng yang
1
chang-tai yang
1
chao-shun yang
1
chia-hua chang
1
chia-ju chou
1
chia-jui lee
1
chia-ming hsu
.
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關鍵字
6
金氧半穿隧二極體
5
mos
5
超薄氧化層
4
mis tunnel diode
4
金氧半電容
4
金氧半電容元件
4
陽極氧化
3
mos capacitor
3
ultrathin oxide
2
mis
.
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出版年
34
2010 - 2020
18
2005 - 2009