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電子工程學研究所
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第 1 到 10 筆結果,共 39 筆。
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2017
穿透式單一波長超穎透鏡
Single Wavelength Transparent Metalens
I-Chen Lee; 李沂臻
電子工程學研究所
2017
短時間低溫顯影之電子束微影與鄰近效應修正演算法
Short-Time and Low-Temperature Development for Electron-Beam Lithography and the Algorithms of Proximity Effect Correction
Chun Nien; 粘群
電子工程學研究所
2012
以方形孔洞陣列之介面設計增進金屬/半導體接觸 導電特性
Improving Metal-Semiconductor Contact Conductance with Patterned Interface of Square-Hole Array
Jong-Lih Li; 黎中立
電子工程學研究所
2018
以圖案化藍寶石基板製作無差排缺陷氮化鎵的方法
A method to fabricate dislocation-free GaN on patterned sapphire substrate
Po-Hsun Chen; 陳柏勳
電子工程學研究所
2012
分析奈米結構缺陷與穿透式電子顯微鏡檢驗和電性之關聯性
A Correlated Analysis of Defect in Nanostructures with TEM Inspection and Electrical Characterization
Yann-Wen Lan; 藍彥文
電子工程學研究所
2017
寬頻帶消色差反射式超穎透鏡
Broadband Achromatic Reflective Metalens
Shen-Hung Lu; 呂昇鴻
電子工程學研究所
2015
電子束微影之快速顯影技術探討
The Research of Rapid Development Technology in Electron Beam Lithography
Wei-Cheng Rao; 饒偉正
電子工程學研究所
2013
調整曝光時間與表面微結構改善光罩上之電子束微影
Adjust the exposure time and apply the surface microstructure to improve the electron beam lithography on the mask
Chao-Chung Ai; 艾兆中
電子工程學研究所
2010
雷射熱退火對不同厚度之鍺奈米薄膜形成鍺量子點之影響
Agglomerate Germanium quantum dot from different evaporated Germanium thin film thickness by laser annealing
Jhao-Hong Lin; 林昭宏
電子工程學研究所
2008
利用電導-電壓及矽的電激發光量測研究N型鍺量子點金氧半結構之介面缺陷特性
Interface traps of the N-type MOS structure with Ge nanocrystals characterized by G-V measurement and Si electron-luminescence
Ko-Chun Lin; 林可淳
電子工程學研究所
探索
系所
39
電子工程學研究所
學位
29
碩士
10
博士
作者
2
chien-wei chiu
2
hung-ming chen
2
邱建維
2
陳宏銘
1
chao-chung ai
1
cheng-huan chung
1
chien-chung chen
1
chien-hung lee
1
ching-hung lai
1
chun nien
.
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關鍵字
3
紅外線偵測器
3
電子束微影
3
電子束微影系統
2
chemical potential model
2
e-beam
2
e-beam lithography
2
化學能模型
2
積體電路
2
積體電路,電子束微影
2
積體電路,電子束微影,鄰近效應
.
下一頁 >
出版年
20
2010 - 2018
19
2005 - 2009