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2014
側向擴散電流對超薄氧化層金氧半元件之反轉區電流特性影響與其相關應用
Effect of Lateral Diffusion Current in Inversion I-V Characteristic of MOS Devices with Ultrathin Oxide and Its Applications
Yen-Kai Lin; 林彥愷
電子工程學研究所
2007
使用電容量測曲線的低散逸因子區域來決定超薄閘極氧化層的厚度
Determination of Ultrathin Gate Oxide Thickness (<2.0 nm) Using Low Dissipation Factor Regions of C-V Measurements
Po-Kai Chang; 張博凱
電子工程學研究所
2016
金氧半電容元件在反轉區光感應特性及其光敏感度之提升
Photosensing Characteristic of MOS Devices in Inversion Region and Enhancement of Sensitivity
Chang-Tai Yang; 楊彰臺
電子工程學研究所
探索
系所
3
電子工程學研究所
作者
1
chang-tai yang
1
po-kai chang
1
yen-kai lin
1
張博凱
1
林彥愷
1
楊彰臺
關鍵字
3
超薄氧化層
2
ultrathin oxide,mos devices
2
ultrathin oxide,mos devices,later...
2
ultrathin oxide,mos devices,later...
2
超薄氧化層,金氧半元件
2
超薄氧化層,金氧半元件,側邊擴散電流
2
超薄氧化層,金氧半元件,側邊擴散電流,蕭基位障調變
1
ultrathin oxide,eot determination
1
ultrathin oxide,eot determination...
1
ultrathin oxide,mos devices,later...
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出版年
1
2016
1
2014
1
2007
全文
3
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