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2014
以硝酸氧化備製中堆疊高介電常數氧化鉿閘極介電層之金氧半電容元件特性研究
Investigation of HfO2 High-k Gate Dielectrics in Tandem Structure Fabricated by Nitric Acid Oxidation for MOS Devices
Xing-You Lin; 林星佑
電子工程學研究所
2019
不對稱之電場耦合效應對超薄氧化層金氧半元件之電特性影響與其相關應用
The Asymmetric Coupling Effect on the I-V Characteristic of Ultrathin-Oxide MIS Devices and Its Applications
Yu-Hsuan Chen; 陳昱諠
電子工程學研究所
2012
深空乏現象對超薄閘極氧化層金氧半電容元件光反應之影響
Deep Depletion Behavior in the Photoresponse of MOS Capacitors with Ultrathin Oxides
Li Lin; 林立
電子工程學研究所
2014
氧化鉿/二氧化矽介電層金氧半結構之製程開發及穿隧電流特性分析
Process Development and Tunneling Current Characteristics of MOS Structure with HfO2/SiO2 Dielectrics
Chin-Sheng Pang; 逄錦昇
電子工程學研究所
2018
超薄氧化層金氧半二極體之電容特徵及記憶體應用
Characterization and Memory Application of Ultrathin Oxide MOS Diodes in the Perspective of Capacitance
Hao-Jyun Li; 黎鎬均
電子工程學研究所
探索
系所
5
電子工程學研究所
作者
1
chin-sheng pang
1
hao-jyun li
1
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1
xing-you lin
1
yu-hsuan chen
1
林星佑
1
林立
1
逄錦昇
1
陳昱諠
1
黎鎬均
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關鍵字
1
mis
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mis,ultrathin-oxide
1
mis,ultrathin-oxide,coupling
1
mis,ultrathin-oxide,coupling,phot...
1
mos
1
mos capacitor
1
mos capacitor,memory
1
mos capacitor,memory,minority car...
1
mos capacitor,memory,minority car...
1
mos capacitors
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出版年
1
2019
1
2018
2
2014
1
2012
全文授權
4
有償授權
1
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全文
5
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