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電子工程學研究所
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2013
超薄金氧半結構電容-電壓與電流-電壓特性之量子力學模型與驗證
A Comprehensive Quantum-Mechanical Model for C-V and I-V Characteristics in Ultrathin MOS Structure and Experiment Verification
Chien-Wei Lee; 李建緯
電子工程學研究所
2012
深空乏現象對超薄閘極氧化層金氧半電容元件光反應之影響
Deep Depletion Behavior in the Photoresponse of MOS Capacitors with Ultrathin Oxides
Li Lin; 林立
電子工程學研究所
探索
系所
2
電子工程學研究所
作者
1
chien-wei lee
1
li lin
1
李建緯
1
林立
關鍵字
1
mos capacitors
1
mos capacitors,deep depletion geh...
1
mos capacitors,deep depletion geh...
1
mos structure
1
mos structure,surface quantization
1
mos structure,surface quantizatio...
1
mos structure,surface quantizatio...
1
金氧半結構
1
金氧半結構,表面量子化
1
金氧半結構,表面量子化,不準確原理
.
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出版年
1
2013
1
2012
全文
2
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