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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2020 | 透過氮化鋁緩衝層增進磊晶品質並用以製作電性表現較好的高電子遷移率電晶體 Fabricate electricity-improved HEMTs by enhancing the epitaxy quality of GaN with sputtered AlN buffer layer | Wei-Ting Wang; 王緯婷 | 電子工程學研究所 |