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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2017 | 超薄氧化層金氧半電容元件中不均勻效應之特性分析與模型 Characterization and Modeling of Non-Uniformity Effect in MOS Capacitors with Ultrathin Oxides | Huang-Hsuan Lin; 林黃玄 | 電子工程學研究所 |
2018 | 具環繞閘金氧半穿隧二極體結構之研究 Study of MIS(p) Tunneling Diode Structures with Surrounding MIS(P) Gate | Hung-Yu Chen; 陳虹宇 | 電子工程學研究所 |
2010 | 利用伸張應力陽極氧化生長技術及真空退火處理改善
超薄氧化層品質 Improvement in Ultra-thin Oxide Quality by Tensile-Stress Anodization Technique and Vacuum Anneal Treatment | Yu-Jen Lee; 李祐任 | 電子工程學研究所 |
2014 | 氧化鉿/二氧化矽介電層金氧半結構之製程開發及穿隧電流特性分析 Process Development and Tunneling Current Characteristics of MOS Structure with HfO2/SiO2 Dielectrics | Chin-Sheng Pang; 逄錦昇 | 電子工程學研究所 |
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- 4 電子工程學研究所
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