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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2014 | 側向擴散電流對超薄氧化層金氧半元件之反轉區電流特性影響與其相關應用 Effect of Lateral Diffusion Current in Inversion I-V Characteristic of MOS Devices with Ultrathin Oxide and Its Applications | Yen-Kai Lin; 林彥愷 | 電子工程學研究所 |
2016 | 金氧半電容元件在反轉區光感應特性及其光敏感度之提升 Photosensing Characteristic of MOS Devices in Inversion Region and Enhancement of Sensitivity | Chang-Tai Yang; 楊彰臺 | 電子工程學研究所 |
2012 | 金氧半光與溫度感測元件結構及製程之研究 Study on the Structure and Process of MOS Photo and Temperature Sensitive Devices | Chih-Yao Wang; 王志耀 | 電子工程學研究所 |