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2009
碳化矽金氧半電容元件上新穎氧化矽與氧化鋁高介電常數閘極介電層
Novel SiO2 and Al2O3 High-K Gate Dielectrics on 4H-SiC MOS Capacitors
Chia-Ming Hsu; 許家銘
電子工程學研究所
探索
系所
1
電子工程學研究所
學位
1
碩士
指導教授
1
胡振國
作者
1
許家銘
關鍵字
1
mos
1
mos,capacitor,sio2,al2o3
1
mos,capacitor,sio2,al2o3,high-k
1
mos,capacitor,sio2,al2o3,high-k,d...
1
mos,capacitor,sio2,al2o3,high-k,d...
1
mos,capacitor,sio2,al2o3,high-k,d...
1
mos,capacitor,sio2,al2o3,high-k,d...
1
金氧半
1
金氧半,電容
1
金氧半,電容,氧化矽,氧化鋁
.
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出版年
1
2009
全文授權
1
有償授權
全文
1
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