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2014
碳化矽金氧半電容之閘極氧化層與碳積聚研究
Investigation of Gate Dielectrics and Carbon Interstitials on 4H-SiC MOS Capacitors
Chia-Ming Hsu; 許家銘
電子工程學研究所
探索
系所
1
電子工程學研究所
學位
1
博士
作者
1
許家銘
關鍵字
1
sic
1
sic,sio2
1
sic,sio2,xps,carbon interstitials
1
sic,sio2,xps,carbon interstitials...
1
sic,sio2,xps,carbon interstitials...
1
碳化矽
1
碳化矽,二氧化矽
1
碳化矽,二氧化矽,碳積聚
1
碳化矽,二氧化矽,碳積聚,高介電質
1
碳化矽,二氧化矽,碳積聚,高介電質,能帶圖
.
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出版年
1
2014
全文授權
1
有償授權
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1
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