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電子工程學研究所
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2007
二氧化矽奈米顆粒附著於矽晶片及金光柵上之紅外線穿透特性
Infared Transsmition Property through Silica Nano Dots on Silicon Substrate and Gold Grating
Shin-Hung Su; 蘇信宏
電子工程學研究所
2006
次波長金屬光柵結構於量子井紅外線偵測器之設計與製作
Subwavelength Metallic Grating Structure on Quantum Well Infrared Photodetector
Kuang-Jou Hsieh; 謝寬洲
電子工程學研究所
2006
含矽/矽鍺量子井結構發光二極體在不同摻雜濃度下之電激發光特性
Electroluminescence characteristics of LED with Si/SiGe multiple quantum well under different doping conditions
Hung-Ming Chen; 陳宏銘
電子工程學研究所
2006
以高介電材質為穿遂層的奈米金粒子金氧半電荷儲存元件
Au Nanocrystal MOS Charge Storage Device By Using High-K Material As Tunneling Layer
Ming-Han Li; 李明翰
電子工程學研究所
2007
鍺量子點發光二極體 有無矽緩衝層之電激發光特性探討
Electroluminescence properties of Ge dots LEDs with or without Si buffer layer
Ying-Chih Lai; 賴盈至
電子工程學研究所
2007
金屬光柵在量子井紅外線光偵測器上的特性
Characteristics of Metallic Grating on Quantum Well Infrared Photodetector
Ching-Hung Lai; 賴景鴻
電子工程學研究所
2005
選擇性摻雜和能障寬度對不同週期的超晶格紅外線偵測器的影響
The effect of the selective doping and barrier width on Superlattice Infrared photodetector with the different period number
Kuei-Chian Huang; 黃逵謙
電子工程學研究所
2008
利用電導-電壓及矽的電激發光量測研究N型鍺量子點金氧半結構之介面缺陷特性
Interface traps of the N-type MOS structure with Ge nanocrystals characterized by G-V measurement and Si electron-luminescence
Ko-Chun Lin; 林可淳
電子工程學研究所
2010
藉由矽基板上孔洞陣列內部形貌的調控實現鍺量子點的有序成長
Growth of well-aligned Ge quantum dots by adjusting the inner morphology of nano-hole array on Si substrate
Chien-Hung Lee; 李健鴻
電子工程學研究所
2010
在金氧半元件中金奈米粒子間氧化層陷阱的研究
Study of Oxide Traps among Gold Nano-Particles in Metal-Oxide-Semiconductor Device
Hong-Cheng Huang; 黃虹彰
電子工程學研究所
探索
系所
29
電子工程學研究所
作者
1
chao-chung ai
1
cheng-huan chung
1
chien-chung chen
1
chien-hung lee
1
chien-wei chiu
1
ching-hung lai
1
chun-wei hsieh
1
hong-cheng huang
1
hsueh-chun hsiao
1
huan-chih wu
.
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關鍵字
2
chemical potential model
2
e-beam lithography
2
化學能模型
2
積體電路
2
積體電路,電子束微影
2
積體電路,電子束微影,鄰近效應
2
紅外線偵測器
2
電子束微影
1
broadband achromatic
1
broadband achromatic,reflective
.
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出版年
13
2010 - 2017
16
2005 - 2009
全文
29
true