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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2008 | 利用電導-電壓及矽的電激發光量測研究N型鍺量子點金氧半結構之介面缺陷特性 Interface traps of the N-type MOS structure with Ge nanocrystals characterized by G-V measurement and Si electron-luminescence | Ko-Chun Lin; 林可淳 | 電子工程學研究所 |
2007 | 在金氧半元件之鍺奈米粒子的發光特性 Metal-Oxide-Semiconductor Structure with Embedded Ge Nanocrystals for Light Emission | Wei-Lun Sun; 孫偉倫 | 電子工程學研究所 |
探索
系所
- 2 電子工程學研究所
關鍵字
- 2 矽鍺元件
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