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電子工程學研究所
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2007
鍺量子點發光二極體 有無矽緩衝層之電激發光特性探討
Electroluminescence properties of Ge dots LEDs with or without Si buffer layer
Ying-Chih Lai; 賴盈至
電子工程學研究所
2007
金屬光柵在量子井紅外線光偵測器上的特性
Characteristics of Metallic Grating on Quantum Well Infrared Photodetector
Ching-Hung Lai; 賴景鴻
電子工程學研究所
2005
選擇性摻雜和能障寬度對不同週期的超晶格紅外線偵測器的影響
The effect of the selective doping and barrier width on Superlattice Infrared photodetector with the different period number
Kuei-Chian Huang; 黃逵謙
電子工程學研究所
2010
藉由矽基板上孔洞陣列內部形貌的調控實現鍺量子點的有序成長
Growth of well-aligned Ge quantum dots by adjusting the inner morphology of nano-hole array on Si substrate
Chien-Hung Lee; 李健鴻
電子工程學研究所
2010
雷射熱退火對不同厚度之鍺奈米薄膜形成鍺量子點之影響
Agglomerate Germanium quantum dot from different evaporated Germanium thin film thickness by laser annealing
Jhao-Hong Lin; 林昭宏
電子工程學研究所
2015
電子束微影之快速顯影技術探討
The Research of Rapid Development Technology in Electron Beam Lithography
Wei-Cheng Rao; 饒偉正
電子工程學研究所
2017
穿透式單一波長超穎透鏡
Single Wavelength Transparent Metalens
I-Chen Lee; 李沂臻
電子工程學研究所
2013
調整曝光時間與表面微結構改善光罩上之電子束微影
Adjust the exposure time and apply the surface microstructure to improve the electron beam lithography on the mask
Chao-Chung Ai; 艾兆中
電子工程學研究所
2006
含矽/矽鍺量子井結構發光二極體在不同摻雜濃度下之電激發光特性
Electroluminescence characteristics of LED with Si/SiGe multiple quantum well under different doping conditions
Hung-Ming Chen; 陳宏銘
電子工程學研究所
2006
次波長金屬光柵結構於量子井紅外線偵測器之設計與製作
Subwavelength Metallic Grating Structure on Quantum Well Infrared Photodetector
Kuang-Jou Hsieh; 謝寬洲
電子工程學研究所
探索
系所
29
電子工程學研究所
作者
1
chao-chung ai
1
cheng-huan chung
1
chien-chung chen
1
chien-hung lee
1
chien-wei chiu
1
ching-hung lai
1
chun-wei hsieh
1
hong-cheng huang
1
hsueh-chun hsiao
1
huan-chih wu
.
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關鍵字
2
chemical potential model
2
e-beam lithography
2
化學能模型
2
積體電路
2
積體電路,電子束微影
2
積體電路,電子束微影,鄰近效應
2
紅外線偵測器
2
電子束微影
1
broadband achromatic
1
broadband achromatic,reflective
.
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出版年
13
2010 - 2017
16
2005 - 2009
全文
29
true