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電子工程學研究所
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2015
一個0.4伏特單次存取能量消耗4.76微微焦耳11.6百萬赫芝1千位元靜態隨機存取記憶體具有提出的單端存取7個電晶體記憶單元並使用寫入與讀取偵測技術
A 400mV 4.76pJ/Access 11.6MHz 1Kb SRAM with Proposed Single-ended 7T Cell Using Write and Read Detecting Schemes
Po-Kai Hsieh; 謝柏凱
電子工程學研究所
探索
系所
1
電子工程學研究所
學位
1
碩士
作者
1
po-kai hsieh
1
謝柏凱
關鍵字
1
7t sram cell
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7t sram cell,sram
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7t sram cell,sram,low-voltage
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7t sram cell,sram,low-voltage,low...
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7t sram cell,sram,low-voltage,low...
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7個電晶體靜態隨機存取記憶單元
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7個電晶體靜態隨機存取記憶單元,靜態隨機存取記憶體,低電壓
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7個電晶體靜態隨機存取記憶單元,靜態隨機存取記憶體,低電壓,低功率
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7個電晶體靜態隨機存取記憶單元,靜態隨機存取記憶體,低電壓,低功率...
出版年
1
2015
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true