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電子工程學研究所
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2012
蕭基二極體與碳化矽金氧半場效電晶體之模擬與設計
Simulation and Design of Schottky Diode and 4H-SiC MOSFET
Hui-Hsuan Wang; 王惠萱
電子工程學研究所
探索
系所
1
電子工程學研究所
學位
1
碩士
作者
1
王惠萱
關鍵字
1
schottky diode
1
schottky diode,4h-sic
1
schottky diode,4h-sic,breakdown v...
1
schottky diode,4h-sic,breakdown v...
1
schottky diode,4h-sic,breakdown v...
1
schottky diode,4h-sic,breakdown v...
1
蕭基二極體
1
蕭基二極體,4h-碳化矽
1
蕭基二極體,4h-碳化矽,崩潰電壓
1
蕭基二極體,4h-碳化矽,崩潰電壓,垂直式金氧半場效電晶體
.
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出版年
1
2012
全文授權
1
未授權
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