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電子工程學研究所
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第 21 到 30 筆結果,共 57 筆。
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符合的文件:
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2017
側壁鈍化金屬閘極對金氧半穿隧二極體邊際場效之影響與其相關應用
Effect of Sidewall Passivated Metal Gate on Fringing Field of MIS Tunnel Diode and Its Application
Chia-Ju Chou; 周佳儒
電子工程學研究所
2020
邊緣蝕刻氧化鋁介電層在感應耦合金氧半穿隧二極體多位階電荷儲存之研究
Study of Edge-Etched Al2O3 Dielectric as Multi-Level Charge Storage Region in an Edge-Sensing Coupled MIS(p) TD
Bo-Jyun Chen; 陳柏均
電子工程學研究所
2017
鄰近耦合效應對超薄金氧半電容深空乏穿隧電流之影響
Impact on Metal-Insulator-Semiconductor (MIS) Deep-Depletion Tunneling Current by Neighboring Coupling Effect
Ming-Han Yang; 楊明翰
電子工程學研究所
2016
嵌入式補償性金屬對超薄氧化層金氧半穿隧二極體之電特性影響
Effect of Compensatory Embedded Aluminum on the Electrical Characteristics of MIS Tunnel Diode with Ultrathin Oxide
Jun-Yao Chen; 陳俊堯
電子工程學研究所
2019
鋁金屬-絕緣層-矽基半導體穿隧二極體暫態電流峰值特性與其應用
Study of the Transient Current Peak Characteristics in Al/SiO2/Si Tunnel Diode Structure and Its Applications
Yu-Heng Liu; 劉宇恒
電子工程學研究所
2019
不對稱之電場耦合效應對超薄氧化層金氧半元件之電特性影響與其相關應用
The Asymmetric Coupling Effect on the I-V Characteristic of Ultrathin-Oxide MIS Devices and Its Applications
Yu-Hsuan Chen; 陳昱諠
電子工程學研究所
2006
形變溫度施壓對超薄閘極氧化層金氧半元件之效應
Effects of Strain-Temperature Stress on MOS Capacitors with Ultra-thin Gate Oxides
Chia-Nan Lin; 林佳男
電子工程學研究所
2011
超薄氧化層金氧半電容元件之製程開發與特性分析
Process Development and Characterization of MOS Capacitor with Ultra-thin Oxide
Tzu-Yu Chen; 陳姿妤
電子工程學研究所
2007
使用電容量測曲線的低散逸因子區域來決定超薄閘極氧化層的厚度
Determination of Ultrathin Gate Oxide Thickness (<2.0 nm) Using Low Dissipation Factor Regions of C-V Measurements
Po-Kai Chang; 張博凱
電子工程學研究所
2012
深空乏現象對超薄閘極氧化層金氧半電容元件光反應之影響
Deep Depletion Behavior in the Photoresponse of MOS Capacitors with Ultrathin Oxides
Li Lin; 林立
電子工程學研究所
探索
學位
47
碩士
10
博士
作者
2
huang-hsuan lin
2
林黃玄
1
bo-jyun chen
1
chang-feng yang
1
chang-tai yang
1
chao-shun yang
1
chia-hua chang
1
chia-ju chou
1
chia-jui lee
1
chia-ming hsu
.
下一頁 >
關鍵字
6
金氧半穿隧二極體
5
mos
5
超薄氧化層
5
金氧半電容元件
5
陽極氧化
4
mis tunnel diode
4
金氧半電容
3
mos capacitor
3
ultrathin oxide
2
anodization
.
下一頁 >
出版年
37
2010 - 2020
20
2005 - 2009
全文授權
52
有償授權
3
未授權
2
同意授權(全球公開)
全文
57
true