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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
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2019 | 鍺金氧半電容介面缺陷密度與遲滯現象降低及等效功函數之調變 Interface Trap Density and Hysteresis Reduction of Ge MISCAPs and Effective Work Function Modulation | Chih-Hsiung Huang; 黃智雄 | 電子工程學研究所 |
2012 | 極紫外光對鍺場效電晶體的影響分析與以穿隧機制建立電阻式記憶體高阻態模型 Analysis of EUV effects on Ge MOSFETs and Resistive Random Access Memory modeling by tunneling mechanisms fitting in HRS | Jing-Cheng Lai; 賴勁成 | 電子工程學研究所 |
2022 | 具有界面層的鐵電穿隧接面的模擬與電性 The Simulation and Electrical Characterization of Ferroelectric Tunnel Junctions with Interfacial Layers | 林宇軒; Yuxuan Lin | 電子工程學研究所 |
2023 | 通道堆疊鍺錫閘極環繞式電晶體及鍺矽樹狀電晶體結合奈米片及橋樑之製程整合 Integration of Stacked GeSn GAAFETs and GeSi TreeFETs Combining Nanosheets and Interbridges | 禹東秀; Dong Soo Woo | 電子工程學研究所 |
2023 | 鐵電薄膜低溫相變及厚度效應之電性分析 Electrical Analysis of Cryogenic Phase Transition and Thickness Effect in Ferroelectric Film | 邢軼凡; Yifan Xing | 電子工程學研究所 |
2023 | 高層數堆疊鍺矽通道奈米片及奈米線電晶體之製程整合 Process Integration of Highly Stacked GeSi Nanosheets and Nanowires FETs | 闕世杰; Shee-Jier Chueh | 電子工程學研究所 |