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電信工程學研究所
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2019
以0.18微米互補式金氧半製程設計應用於S頻段雷達射頻系統單晶片之差動饋入低雜訊放大器與數位衰減器
Design of Differentially-Fed Low Noise Amplifier and Digital Attenuators for S-Band Radar RF-SoC Using 0.18-μm CMOS Process
Tzu-Yu Hsia; 夏紫瑀
電信工程學研究所
探索
系所
1
電信工程學研究所
學位
1
碩士
指導教授
1
陳士元
作者
1
tzu-yu hsia
1
夏紫瑀
關鍵字
1
cmos,digital attenuator,low noise...
1
cmos,digital attenuator,low noise...
1
低雜訊放大器,s-band
1
低雜訊放大器,s-band,數位衰減器
1
低雜訊放大器,s-band,數位衰減器,差動饋入
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低雜訊放大器,s-band,數位衰減器,差動饋入,接收器
1
低雜訊放大器,s-band,數位衰減器,差動饋入,接收器,金氧半場...
出版年
1
2019
全文授權
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