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光電工程學研究所
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2008
以陽極氧化鋁技術於氮化銦鎵/氮化鎵量子井上製作奈米孔洞以釋放應變及產生表面電漿子奈米金屬顆粒之製備
Strain Release of InGaN/GaN Quantum Wells through Nano-hole Fabrication and Formation of Metal Particles for Surface Plasmon Study with the Anodic Aluminum Oxide Technique
Li-Guo Li; 李立國
光電工程學研究所
探索
系所
1
光電工程學研究所
學位
1
碩士
指導教授
1
楊志忠(chih-chung yang)
作者
1
li-guo li
1
李立國
關鍵字
1
surface plasmon,aao
1
surface plasmon,aao,strain release
1
表面電漿子
1
表面電漿子,陽極氧化鋁
1
表面電漿子,陽極氧化鋁,應變釋放
出版年
1
2008
全文
1
true