搜尋
新增篩選器:
使用篩選器讓結果更精確。
第 1 到 4 筆結果,共 4 筆。
- 上一個
- 1
- 下一個
符合的文件:
出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2023 | 氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之射頻功率元件製作與分析 Fabrication and Analysis of AlGaN/GaN Radio Frequency HEMTs | 呂威儒; Wei-Ju Lu | 光電工程學研究所 |
2023 | 利用熱載子效應形成單晶單層二硫化鉬憶阻器電晶體 Single crystalline monolayer MoS2 memtransistors enabled by hot carriers | 楊舒婷; Shu-Ting Yang | 光電工程學研究所 |
2023 | 適用於系統以及電路模擬的異質介面雙載子發光電晶體模型 A Heterojunction Bipolar Light-Emitting Transistor Model for Circuit and System Application | 楊順; Lucas Yang | 光電工程學研究所 |
2024 | 鰭式結構之雙通道氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體射頻功率元件製作與分析 Fabrication and Analysis of Radio Frequency Double Channel AlGaN/GaN HEMT with Fin Structure | 許博勳; Po-Hsun Hsu | 光電工程學研究所 |
探索
系所
- 4 光電工程學研究所
指導教授
關鍵字
- 1 algan/gan
- 1 algan/gan heterojunction structure
- 1 algan/gan heterojunction structur...
- 1 algan/gan heterojunction structur...
- 1 algan/gan heterojunction structur...
- 1 algan/gan heterojunction structur...
- 1 algan/gan heterojunction structur...
- 1 algan/gan heterojunction structur...
- 1 algan/gan,inaln/gan
- 1 algan/gan,inaln/gan,load-pull mea...
- 下一頁 >
全文
- 4 true