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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2020 | 矽基板穿孔之氮化鎵高電子遷移率電晶體之高頻特性分析及其小訊號模型 RF characterizations and modeling of GaN HEMTs with Si substrate VIA | Ching-Yu Shih; 施靜妤 | 光電工程學研究所 |
2020 | 具深槽源極孔洞之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體電流崩塌特性分析 Current Collapse Characterizations of GaN-on-Si HEMTs With Deep Trench Source Via | Ji-Xuan Yang; 楊季璇 | 光電工程學研究所 |
探索
系所
- 2 光電工程學研究所
學位
- 2 碩士
指導教授
關鍵字
- 2 高電子遷移率電晶體
- 1 gan-on-si hemts,
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- 1 高電子遷移率電晶體,矽基板移除技術
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出版年
- 2 2020
全文授權
- 2 有償授權
全文
- 2 true