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光電工程學研究所
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2014
寬能隙半導體電晶體開發:非晶態氧化銦鎵鋅薄膜電晶體與增強型氮化鎵高載子遷移率電晶體
Development of Wide-Bandgap Semiconductor Transistors: Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors and Enhancement-Mode GaN High Electron Mobility Transistors
Liang-Yu Su; 蘇亮宇
光電工程學研究所
探索
系所
1
光電工程學研究所
學位
1
博士
指導教授
1
黃建璋(jianjang huang)
作者
1
蘇亮宇
關鍵字
1
igzo tft
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igzo tft,gan hemt
1
igzo tft,gan hemt,e-mode
1
igzo tft,gan hemt,e-mode,power el...
1
氧化銦鎵鋅
1
氧化銦鎵鋅,薄膜電晶體
1
氧化銦鎵鋅,薄膜電晶體,高載子遷移率電晶體
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氧化銦鎵鋅,薄膜電晶體,高載子遷移率電晶體,功率元件
1
氧化銦鎵鋅,薄膜電晶體,高載子遷移率電晶體,功率元件,增強型
出版年
1
2014
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