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2020
應用奈米結構釋放氮化鎵磊晶層應力以提升元件性能
Improvement of Device Performance by Relaxing Stress in GaN Epilayers with Nanostructures
Cheng-Yen Chien; 簡丞彥
電子工程學研究所
探索
系所
1
電子工程學研究所
學位
1
博士
指導教授
1
管傑雄(chieh-hsiung kuan)
作者
1
簡丞彥
關鍵字
1
gan,quantum-confined stark effect
1
gan,quantum-confined stark effect...
1
gan,quantum-confined stark effect...
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gan,quantum-confined stark effect...
1
氮化鎵,量子侷限史塔克效應
1
氮化鎵,量子侷限史塔克效應,發光二極體
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氮化鎵,量子侷限史塔克效應,發光二極體,增強型高電子移動率電晶體
1
氮化鎵,量子侷限史塔克效應,發光二極體,增強型高電子移動率電晶體,...
出版年
1
2020
全文授權
1
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