Skip navigation
DSpace
機構典藏 DSpace 系統致力於保存各式數位資料(如:文字、圖片、PDF)並使其易於取用。
點此認識 DSpace
English
中文
瀏覽論文
校院系所
出版年
作者
標題
關鍵字
搜尋 TDR
授權 Q&A
幫助
我的頁面
接受 E-mail 通知
編輯個人資料
NTU Theses and Dissertations Repository
搜尋
搜尋:
整個系統
電機資訊學院
光電工程學研究所
生物資訊學國際研究生博士學位學程
生醫電子與資訊學研究所
資料科學學位學程
資訊工程學系
資訊網路與多媒體研究所
電信工程學研究所
電子工程學研究所
電機工程學系
for
目前的篩選器:
標題
系所
學位
作者
指導教授
系所
關鍵字
出版年
授權
Has File(s)
包含
等於
ID
不等於
不包含
非 ID
標題
系所
學位
作者
指導教授
系所
關鍵字
出版年
授權
Has File(s)
包含
等於
ID
不等於
不包含
非 ID
開始新的搜尋
新增篩選器:
使用篩選器讓結果更精確。
標題
系所
學位
作者
指導教授
系所
關鍵字
出版年
授權
Has File(s)
包含
等於
ID
不等於
不包含
非 ID
第 1 到 4 筆結果,共 4 筆。
上一個
1
下一個
符合的文件:
出版年
標題
作者
系所
2023
具雙閘極結構之空乏型及增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之電性分析
Electrical characteristics of depletion-mode and enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs with a dual-gate structure
林岱頡; Dai-Jie Lin
光電工程學研究所
2022
高頻氮化鋁銦鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之模擬分析與優化
Simulation analysis and optimization of high-frequency AlInGaN/GaN HEMTs
Yun-Hao Liu; 劉昀皓
光電工程學研究所
2023
氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體之可靠度分析與閘極氧化製程優化
Reliability Analysis and Gate Oxidation Process Optimization of AlGaN/GaN HEMTs
蕭凱文; Kai-Wen Hsiao
電子工程學研究所
2023
免用微影技術製作的氮化鎵奈米光柵結構內量子點發光、福斯特共振能量轉移與表面電漿子耦合隨偏振變化的行為
Polarization-dependent Behaviors of Quantum-dot Emission, Förster Resonance Energy Transfer, Surface Plasmon Coupling in Lithography-free GaN Nano-grating Structures
馮璽宇; Hsi-Yu Feng
光電工程學研究所
探索
系所
3
光電工程學研究所
1
電子工程學研究所
學位
3
碩士
1
博士
指導教授
1
chao-hsin wu
1
chih-chung yang
1
jian-jang huang
1
吳肇欣
1
吳育任(yuh-renn wu | yrwu@ntu.edu.tw...
1
吳育任(yuh-renn wu)
1
楊志忠
1
黃建璋
作者
1
dai-jie lin
1
hsi-yu feng
1
kai-wen hsiao
1
yun-hao liu
1
劉昀皓
1
林岱頡
1
蕭凱文
1
馮璽宇
關鍵字
2
gan
2
氮化鎵,高電子遷移率電晶體
1
gallium nitride
1
gallium nitride,high electron mob...
1
gallium nitride,high electron mob...
1
gallium nitride,high electron mob...
1
gan,hemt
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure...
1
gan,hemt,dual-gate (dg) structure...
.
下一頁 >
出版年
3
2023
1
2022
全文
4
true