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2012
高遷移率鍺金氧半場效電晶體之製備與特性
Fabrication and Characterizations of High Mobility Ge n-MOSFETs
Jing-Yi Lin; 林京毅
電子工程學研究所
探索
系所
1
電子工程學研究所
學位
1
碩士
指導教授
1
劉致為
作者
1
林京毅
關鍵字
1
germanium,gate-last process
1
germanium,gate-last process,high ...
1
germanium,gate-last process,high ...
1
germanium,gate-last process,high ...
1
germanium,gate-last process,high ...
1
鍺
1
鍺,閘極最後製程
1
鍺,閘極最後製程,高遷移率
1
鍺,閘極最後製程,高遷移率,表面鈍化
1
鍺,閘極最後製程,高遷移率,表面鈍化,應變
.
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出版年
1
2012
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1
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