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2015
氮化鎵高電子遷移率電晶體其電特性分析及可靠度探討
Investigation of Electrical Characteristics and Reliability in GaN-based High Electron Mobility Transistors
Chih-Hao Wang; 王致皓
光電工程學研究所
2014
大尺寸氮化鎵高電子遷移率電晶體的開發及其功率電子應用
Development of Large-area GaN High Electron Mobility Transistors and the Applications to Power Electronics
Finella Lee; 李韋諭
光電工程學研究所
2016
增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體製作與電流崩潰特性分析
Fabrication and Current Collapse Characterizations of Enhancement-Mode AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Shin-Yi Ho; 何昕逸
光電工程學研究所
2018
場效電板增強型氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體閾值電壓及電流崩潰特性分析
Investigation of Threshold Voltage and Current Collapse Behaviors of Enhancement-Mode p-GaN/AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor with Gate Field-Plate
Wei-Ren Lin; 林威任
光電工程學研究所
2019
基板移除之氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體微波訊號研究
Characterizations of RF Properties of GaN-on-Si HEMTs with Substrate Removal Technology
Yueh-Ting Chen; 陳約廷
光電工程學研究所
探索
學位
5
碩士
作者
1
chih-hao wang
1
finella lee
1
shin-yi ho
1
wei-ren lin
1
yueh-ting chen
1
何昕逸
1
李韋諭
1
林威任
1
王致皓
1
陳約廷
.
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關鍵字
2
gan hemt
2
gan hemt,e-mode
2
gan hemt,e-mode,p-gan cap layer
2
高電子遷移率電晶體,p型氮化鎵覆蓋層
1
enhancement mode
1
enhancement mode,gate field-plate...
1
enhancement mode,gate field-plate...
1
enhancement mode,gate field-plate...
1
enhancement mode,gate field-plate...
1
gan hemt,e-mode,p-gan cap layer,c...
.
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出版年
1
2019
1
2018
1
2016
1
2015
1
2014
全文授權
5
有償授權
全文
5
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