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出版年 | 標題 | 作者 | 系所 |
---|---|---|---|
2020 | 氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體之射頻功率元件製作與分析 Fabrication and Analysis of Radio Frequency AlInN/GaN HEMTs | Wei-Cheng Tzeng; 曾威程 | 電子工程學研究所 |
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系所
- 1 電子工程學研究所
學位
- 1 碩士
關鍵字
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- 1 氮化鋁銦/氮化鎵異質接面結構,高載子遷移率電晶體,射頻元件,小訊號模型
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出版年
- 1 2020
全文授權
- 1 有償授權
全文
- 1 true